半导体物理第章 非平衡载流子.ppt

第5章 非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 产生 非平衡载流子（过剩载流子） 非平衡少子的浓度通常高于平衡态少子浓度 附加电导率 小注入时 电阻变化 电压变化反映了附加电阻率的变化，从而检测了非平衡少数载流子的注入。 产生非平衡载流子的方法：光注入、电注入。 5.2非平衡载流子的寿命 小注入： 非平衡载流子： 寿命 复合寿命 复合率 边界条件 解 非平衡载流子平均寿命 令 寿命 锗：104μs 硅：103μs 砷化镓：10-8~109s 5.3准费米能级 5.4复合理论 分类 微观机构 直接复合：直接跃迁 间接复合：通过复合中心 发生位置 体内复合 表面符合 复合释放能量的方法 发射光子 发射声子 将能量给予其他载流子（俄歇复合） 5.4.1直接复合 产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数，用G表示，为温度的函数与载流子浓度无关。 复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 其中r复合概率，为温度的函数与载流子浓度无关。 热平衡时 非平衡载流子的净复合率 非平衡载流子寿命 寿命不仅与平衡载流子浓度有关，还与非平衡载流子浓度有关。 小注入条件下 对于n型材料 ，若 若 根据直接复合理论，硅、锗非平衡载流子寿命的计算结果与测量结果差距较大。 一般而言，禁带宽度越小，直接复合的概率越大。 5.5陷阱效应 当半导体处于热平衡态，施主、受主、复合中心或其他杂质能级上，都具有一定数目的电子，且能级上的电子通过载流子的俘获和产生保持平衡。 处于非平衡态，杂质能级上电子数目的改变表明杂质能级具有收容载流子的能力。杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。具有显著积累非平衡载流子作用的杂质能级称为陷阱，相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 根据间接复合理论，在小注入条件下，能级上稳定的电子积累 杂质能级上的电子数与非平衡载流子数目有关 只考虑非平衡电子浓度的影响 假定能级俘获电子和空穴的能力相同，令rp=rn，可得 实际中典型的陷阱对电子和空穴的俘获概率有较大差别，大到可以忽略较小的俘获概率的程度。 若rprn，，就是空穴陷阱，反之则为电子陷阱。 以电子陷阱为例，则 当n1=n0时，上式取极大值。 实际上的陷阱效应往往是少数载流子的陷阱效应。 最有利于陷阱作用的能级位置与平衡时的费米能级相同。 对于电子陷阱，费米能级以上的能级越接近费米能级，陷阱效应越显著。 电子落入陷阱后，基本上不直接与空穴复合，而是首先激发到导带，然后才能在通过复合中心复合。因此陷阱的存在大大增长了从非平衡态到平衡态的弛豫时间。 以p型材料为例 5.6载流子的扩散运动 产生原因：浓度分布不均匀 均匀掺杂的半导体，一侧用适当波长的光均匀照射材料的一面 扩散流密度Sp 其中Dp扩散系数，单位cm2/s 一维稳定情况下，非平衡少数载流子空穴的变化规律：（稳态扩散方程） 其中 所以 普遍解为 其中 1.样品足够厚 因此 非平衡子载流子平均扩散距离（扩散长度） 空穴扩散流密度 2.样品厚度一定 边界条件 可得 解此联立方程得 若 则 此时非平衡载流子在样品内呈线性分布 扩散流密度 晶体管中基区非平衡载流子分布符合该情况 空穴扩散流密度 考虑三维情况，假定载流子各个方向的扩散系数相同 扩散流密度的散度的负值就是单位体积空穴的积累率 稳定情况下等于单位时间在单位体积内由于复合消失的空穴数（稳态扩散方程） 空穴的电流扩散密度 同理电子的电流扩散密度 5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 外加电场 n型均匀掺杂半导体，沿x方向加一均匀电场，同时在表面处光注入非平衡载流子。则少子空穴的电流密度： 少子空穴电流密度 电子电流密度 考虑热平衡状态的非均匀的n型半导体，施主杂质浓度随x的增加而下降。 扩散电流 体内自建电场产生漂移电流 平衡时总电流、电子电流和空穴电流均等于0 可得 半导体内的电场分布 在非简并情况下，电子的浓度 求导得 代入可得爱因斯坦关系式 同理可得 5.8连续性方程 n型半导体为例，由于扩散，单位时间单位体积中积累的空穴数 由于漂移，单位时间单位体积中积累的空穴数 小注入条件下，单位时间单位体积内复合消失的空穴数为 Gp：其他外界因素引起的单位时间单位体积中空穴的变化 单位时间单位体积内空穴随时间的变化率（连续性方程） 假设表面光照恒定 gp=0 连续性方程称为稳态连续性方程 。进而假设材料是均匀的，则 所以 普遍解 其中λ1λ2下面方程的两个根 令空穴的牵引长度 上式变为 解为