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半导体物理第章 非平衡载流子
第5章 非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 产生 非平衡载流子(过剩载流子) 非平衡少子的浓度通常高于平衡态少子浓度 附加电导率 小注入时 电阻变化 电压变化反映了附加电阻率的变化,从而检测了非平衡少数载流子的注入。 产生非平衡载流子的方法:光注入、电注入。 5.2非平衡载流子的寿命 小注入: 非平衡载流子: 寿命 复合寿命 复合率 边界条件 解 非平衡载流子平均寿命 令 寿命 锗:104μs 硅:103μs 砷化镓:10-8~109s 5.3准费米能级 5.4复合理论 分类 微观机构 直接复合:直接跃迁 间接复合:通过复合中心 发生位置 体内复合 表面符合 复合释放能量的方法 发射光子 发射声子 将能量给予其他载流子(俄歇复合) 5.4.1直接复合 产生率:单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数,用G表示,为温度的函数与载流子浓度无关。 复合率:单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 其中r复合概率,为温度的函数与载流子浓度无关。 热平衡时 非平衡载流子的净复合率 非平衡载流子寿命 寿命不仅与平衡载流子浓度有关,还与非平衡载流子浓度有关。 小注入条件下 对于n型材料 ,若 若 根据直接复合理论,硅、锗非平衡载流子寿命的计算结果与测量结果差距较大。 一般而言,禁带宽度越小,直接复合的概率越大。 5.5陷阱效应 当半导体处于热平衡态,施主、受主、复合中心或其他杂质能级上,都具有一定数目的电子,且能级上的电子通过载流子的俘获和产生保持平衡。 处于非平衡态,杂质能级上电子数目的改变表明杂质能级具有收容载流子的能力。杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。具有显著积累非平衡载流子作用的杂质能级称为陷阱,相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 根据间接复合理论,在小注入条件下,能级上稳定的电子积累 杂质能级上的电子数与非平衡载流子数目有关 只考虑非平衡电子浓度的影响 假定能级俘获电子和空穴的能力相同,令rp=rn,可得 实际中典型的陷阱对电子和空穴的俘获概率有较大差别,大到可以忽略较小的俘获概率的程度。 若rprn,,就是空穴陷阱,反之则为电子陷阱。 以电子陷阱为例,则 当n1=n0时,上式取极大值。 实际上的陷阱效应往往是少数载流子的陷阱效应。 最有利于陷阱作用的能级位置与平衡时的费米能级相同。 对于电子陷阱,费米能级以上的能级越接近费米能级,陷阱效应越显著。 电子落入陷阱后,基本上不直接与空穴复合,而是首先激发到导带,然后才能在通过复合中心复合。因此陷阱的存在大大增长了从非平衡态到平衡态的弛豫时间。 以p型材料为例 5.6载流子的扩散运动 产生原因:浓度分布不均匀 均匀掺杂的半导体,一侧用适当波长的光均匀照射材料的一面 扩散流密度Sp 其中Dp扩散系数,单位cm2/s 一维稳定情况下,非平衡少数载流子空穴的变化规律:(稳态扩散方程) 其中 所以 普遍解为 其中 1.样品足够厚 因此 非平衡子载流子平均扩散距离(扩散长度) 空穴扩散流密度 2.样品厚度一定 边界条件 可得 解此联立方程得 若 则 此时非平衡载流子在样品内呈线性分布 扩散流密度 晶体管中基区非平衡载流子分布符合该情况 空穴扩散流密度 考虑三维情况,假定载流子各个方向的扩散系数相同 扩散流密度的散度的负值就是单位体积空穴的积累率 稳定情况下等于单位时间在单位体积内由于复合消失的空穴数(稳态扩散方程) 空穴的电流扩散密度 同理电子的电流扩散密度 5.7载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式 外加电场 n型均匀掺杂半导体,沿x方向加一均匀电场,同时在表面处光注入非平衡载流子。则少子空穴的电流密度: 少子空穴电流密度 电子电流密度 考虑热平衡状态的非均匀的n型半导体,施主杂质浓度随x的增加而下降。 扩散电流 体内自建电场产生漂移电流 平衡时总电流、电子电流和空穴电流均等于0 可得 半导体内的电场分布 在非简并情况下,电子的浓度 求导得 代入可得爱因斯坦关系式 同理可得 5.8连续性方程 n型半导体为例,由于扩散,单位时间单位体积中积累的空穴数 由于漂移,单位时间单位体积中积累的空穴数 小注入条件下,单位时间单位体积内复合消失的空穴数为 Gp:其他外界因素引起的单位时间单位体积中空穴的变化 单位时间单位体积内空穴随时间的变化率(连续性方程) 假设表面光照恒定 gp=0 连续性方程称为稳态连续性方程 。进而假设材料是均匀的,则 所以 普遍解 其中λ1λ2下面方程的两个根 令空穴的牵引长度 上式变为 解为
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