半导体物理第三章习题答案.doc

第3章 半导体中载流子的统计分布 2. 试证明导带底附近状态密度公式为式(3-6)设导带底能量为，附近的电子等能面为旋转椭球面， 与椭球标准方程 相比较，可知其电子等能面的三个半轴a、b、c分别为 于是，K空间能量为E的等能面所包围的体积即可表示为 能量为E和E+dE的两个等能面之间的体积即为 设晶体体积为V，则其K空间的量子态密度在考虑自旋的情况下为2V，能量为E和E+dE的两个等能面之间的量子态数即为 设导带底的等效状态数为S，则状态密度 令，则，代入上式即使式(3-6)得证。 3. 当E－EF、、时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据这些能级的概率。 ；玻耳兹曼分布函数 当E－EF，； 当E－EF，； 当E－EF，； 计算结果表明，两种统计方法在E－EF＜2kT时误差较大E－EFkT的倍数越大，两种统计方法3-2所示栏目，针对77K下的Si和GaAs计算有关数据。 解：首先根据参考书中的式1-66) 计算禁带宽度。 然后根据 ； 利用表3-2中300K下的等效态密度计算77K时的； 对GaAs得 ； 也可直接利用等效态密度的计算公式直接计算。但要注意引用对硅要态密度有效质量，其值为mmp*=0.59m0；对GaAs，因为导带底各相同性，计算NC仍引用电子有效质量mn*=0.068m0，但计算NV时要引用空穴的态密度有效质量mp*=0.47m0。 将以上算得的数据分别代入 即可算出77K 由此可见低温下半导体中本征载流子密度之低以及禁带宽度的一点差别对ni的巨大影响。8．在室温下，锗的有效态密度NC=1.05(1019cm-3，NV=5.7(1018cm-3，Eg=0.67eV。求温度为300K和500K时，同时含施主浓度ND=5(1015cm-3、受主浓度NA=2(109cm-3的锗中的电子及空穴密度。 ni是必不可少的条件。从参考书中不难查到T=300K时Ge的ni =1.7(1013cm-3ni需要计算。为此须首先计算500K时的NC、NV和Eg： 将以上计算结果带入得500K时的本征载流子密度 式中，0.0432是500K对应的kT值。 为求解某个温度和一定掺杂浓度下的热平衡载流子密度n0和p0，严格讲应列出电中性条件 和 联立求解。解得： 按题设的掺杂浓度和温度范围，两种杂质都应全部电离，即NA－＝NA，ND＋＝ND。由于NAND，上式简化为 该式表明，在有效电离杂质浓度大大于本征载流子密度的情况下才可认为多数载流子密度与有效电离杂质浓度相等，否则将引起较大误差。以下的计算结果会进一步证明此点。 带入相关数据进行计算，得T=300K时 当T=500K时 该题表明，500K时NC=8.9(1019cm-3，NV=.5(1019cm-3。 解： 可求出电离度为90％， 将以上结果分别代入和，并代入室温下的NC、NV值，即得掺氮、掺硼6H－SiC室温下电离度为90％时的杂质浓度分别为 计算结果表明，氮铝6H-SiC(1018cm-3和7.056(1015cm-3。 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm-3、1018cm-3、1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离。再用算出的费米能级核对一下上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下面处。 ，则可将费米能级相对于导带底的位置表示为 将室温下Si的导带底有效态密度ND代ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： ND=1019 cm-3时： 为验证杂质全部电离的假定是否都成立，须利用以上求得的费米能级位置求出各种掺杂浓度下的杂质电离度 为此先求出各种掺杂浓度下费米能级相对于杂质能级的位置 于是知 ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： ND=1019 cm-3时： 相应的电离度即为 ND=1016 cm-3时： ND=1018 cm-3时： ND=1018 cm-3时： 验证结果表明，室温下ND=1016 cm-3时的电离度达到99.5%，可以近似认为杂质全电离；而ND=1018 cm-3和ND=1019 cm-3这两种情况下的电离度都很小，不能视为全电离。 12.若硅中施主杂质电离能(，施主杂质浓度分别为101 cm-3和1018 cm-3。计算①99﹪电离；②90﹪电离；③50﹪电离时温度 来求解。该式可重新表示为未电离杂质占杂质总数的百分比D－ ＝D－ (12-1) 式中已利用(ED＝0.04eV预先算出。因为求的是温度T ⑴ 99﹪电离时，D－= 0.01，n0 = 0.99ND。式(12-1)变为 于是，当时,得 ，即 时,得 ⑵ 90﹪电离时D－= 0. 1 也即 于是，当时，得