第三章 微细加工中的光刻原理.ppt

第三章 微细加工中的光刻原理与工艺 光刻是一种以光复印图形和材料腐蚀相结合的表面精密加工技术。前者是使图形复印到基片表面的光刻胶上，后者是把图形刻蚀到基片表面的各层材料(如Si02、Si3N4、多晶硅、铝等)上。光刻胶上图形的复印是通过曝光和显影完成的。限制图形重复性及分辨率的主要因素，是图形加工过程中所涉及到的物理和化学问题。 第一节 光刻工艺过程 在集成电路生产中，要经过多次光刻。虽然各次光刻的目的要求和工艺条件有所不同，但其工艺过程是基本相同的。光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀和去胶7个步骤。 光刻工艺过程示意图 涂 胶 涂胶就是在SiO2或其他薄膜表面涂一层粘附良好、厚度适当、厚薄均匀的光刻胶膜。涂胶前的基片表面必须清洁干燥。生产中最好在氧化或蒸发后立即涂胶，此时基片表面清洁干燥，光刻胶的粘附性较好。涂胶的厚度要适当。 胶膜太薄-----针孔多，抗蚀能力差； 胶膜太厚-----则分辨率低。 在一般情况下，可分辨线宽约为膜厚的5～8倍。 前 烘 前烘就是在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢挥发出来，使胶膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。前烘的时间和温度随胶的种类及膜厚的不同而有所差别，一般由实验确定。 曝 光 曝光就是对涂有光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使曝光部分的光刻胶在显影液中的溶解性改变，经显影后在光刻胶膜上得到和掩模相对应的图形。 显 影 显影是把曝光后的基片放在适当的溶剂里，将应去除的光刻胶膜溶除干净，以获得刻蚀时所需要的光刻胶膜的保护图形。显影液的选择原则是： 对需要去除的那部分胶膜溶解得快，溶解度大 对需要保留的那部分胶膜溶解度极小 同时，要求显影液内所含有害的杂质少，毒性小。 显影时间随胶膜的种类、膜厚、显影液种类、显影温度和操作方法不同而异，一般由实验确定。 坚 膜 坚膜是在一定温度下对显影后的基片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留的水分，改善胶膜与基片的粘附性，增强胶膜的抗蚀能力。 刻 蚀 刻蚀就是用适当的刻蚀剂，对未被胶膜覆盖的SiO2或其他薄膜进行刻蚀，以获得完整、清晰、准确的光刻图形，达到选择性扩散或金属布线的目的。光刻工艺对刻蚀剂的要求是： 只对需要除去的物质进行刻蚀，而对胶膜不刻蚀或刻蚀量很小。要求刻蚀图形的边缘整齐、清晰，刻蚀液毒性小，使用方便 去 胶 去胶就是在SiO2或其他薄膜上的图形刻蚀出来后，把覆盖在基片上的胶膜去除干净。 第二节 光学光刻工艺 用紫外光(200～400nm)在光刻胶上产生图形有多种方法，而最早采用的是接触曝光或接近曝光法。这种方法很简单，只需要用紫外光通过掩模对涂有光敏聚合物薄膜的基片进行曝光即可。掩模具有透明区和不透明区，图形就由这些区域确定。这种曝光技术(也称阴影曝光)多年来已广泛用于器件生产中。 一、接触曝光 阴影曝光分辨率的主要限制是光的衍射。光通过透明区域，在掩模不透明区的边缘发生衍射。图3—3为人射光在光刻胶表面的光强分布图。它是在光通过周期性光栅之后形成的，而光栅由不透明或透明的线条或等宽为b的间隔组成。由图3-3可明显看到，衍射使轮廓边缘完好的图形变得模糊。当光通过不透明的边缘时，光“拐弯”了(即衍射) 在衍射限制范围内，接触曝光几乎有100％的精度把掩模图形传递到光刻胶上，并有可能获得最高清晰度的图像。这是其他光学光刻技术所不及的。 但是，在实际制造工艺中不可能实现理想接触状态，所以实际分辨率要比理论值低。其重要原因是：基片和掩模都不是理想平面；在基片和掩模之间可能存在异物；光刻胶层隆起，使对准困难。为了获得良好的接触状态，可在基片和掩模间增大接触压力，但这样做容易损伤胶膜，产生不应有的缺陷。而这些缺陷在曝光时会重现，最终导致成品率的降低。此外，压力的增大还会使基片和掩模发生形变，导致套刻精度的下降。在影像套准时，掩模需要对基片作相对移动，这也会产生微粒或碎屑，从而使缺陷问题更加复杂化。 二、接近曝光 在掩模和基片之间留有10～20μm的间隙，可以减少接触曝光中有关缺陷的问题，但是增加了间隙。由于衍射引起的半阴影区域的扩大，会降低分辨率。 例如，当隙缝宽为10μm时，?＝400nm，则最大分辨率近似等于3μm。 在接近曝光中，掩模与基片之间的间隔应恒定不变，但这样只有极平的基片和掩模才能达到。目前，基片和掩模的制备和抛光技术已有显著改进，基片和掩模的平均平整度已达几微米的数量级。这不仅改善了涂层的精度，也使接触和接近曝光的实际分辨率提高。 实际使用中，10μm的间隙已是最小的间隙了。阴影曝光的分辨率与波长的平方根成正比。因此，缩短曝光光线的波长有可能改善分辨率。 尽管阴