第章压阻式传感器.ppt

固体受到力的作用后，其电阻率（或电阻）就要发生变化，这种现象称为压阻效 应。压阻式传感器是利用固体的压阻 效应制成的一种测量装置。 分类: ★粘贴型压阻式传感器(传感元件是用半 导体材料的体电阻制成的粘贴式应变片) ★扩散型压阻式传感器(它的传感元件是利 用集成电路工艺，在半导体材料的基片 上制成的扩散电阻。 任何材料电阻的变化率都由下式决定 如果引用 式中π为压阻系数，σ为应力，再引进横 向变形的关系，则电阻的相对变化率可写成 式中 k——灵敏系数 对半导体来讲，1+2μ可忽略不计，而压阻系数π =（40～80）×10-11N/m2，弹性模量 E = 1.67×1011N/m2，故 式中 ky——半导体材料的灵敏系数。 此式表示，压阻式传感器的灵敏系数是金属应变片的灵敏系数的50～100倍。 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.2 晶向的表示方法 8.3 压阻系数 8.3 压阻系数 8.3 压阻系数 应力作用在单晶硅上，由于压阻效应，硅晶体的电阻发生变化。电阻的相对变化与应力的关系如下式所示。在正交坐标系统，坐标轴与晶轴一致时，有 式中　sl ——纵向应力； st ——横向应力； ss ——与纵向应力和横向应力垂直的应力。 pl ——纵向压阻系数； pt ——横向压阻系数； ps ——与纵向和横向垂直的压阻系数。 由于ss一项比st 和sl 小很多一般略去。pl表示应力作用方向与通过压阻元件的电流方向一致，pt 表示应力作用的方向与通过压阻元件的电流方向垂直。 8.3 压阻系数 当硅晶体的晶轴与立方晶体晶轴有偏离时，电阻的变化率表示为 在此情况下，式中的pl、pt 值可用p11、p12、p44表示为 式中 p11、p12、p44——分别为压阻元件的纵向、横向及剪切向压阻系数，是硅、锗之类半导体材料独立的三个压阻系数。 l1、m1、n1——分别为压阻元件纵向应力相对于立方晶轴的方向余弦； l 2、m2、n2——分别为压阻元件横向应力相对于立方晶轴的方向余弦； 8.3 压阻系数 室温下单晶硅p11、p12和p44的数值见下表。从表可以看出：对于 P型硅，p44远大于p11、p12 因而在计算时，只取p44；对于N型硅， p44较小，p11最大，p12≈1/2p11，因而在计算 时只取p11和p12。 8.3 压阻系数 前面已经讲过，单晶硅的晶面虽然很多， 但是（100）、（110）、（111）是三个主 要晶面。制作压力传感器，总是在某一晶 面上选择两个互相垂直的晶向[h，k，l]和 [r，s，t]作为坐标轴，也就是说， 扩散电阻要么垂直于X轴，要么垂 直于 Y轴，如图所示。 8.4 影响压阻系数的因素 8.3 压阻系数 实验证明，在（100）晶面上有最大的压阻系数，其晶向为[011]⊥[ ]或[011]⊥[ ]。 对于P型硅来讲，其最大压阻系数为： p1=∣pt∣≤p44/2 P型硅纵横向压阻系数其绝对值相等。 对于N型硅来讲，其最大压阻系数为： N型硅纵横向压阻系数大小相等。 8.4 影响压阻系数的因素 8.5 压阻式传感器的结构与设计 8.5 压阻式传感器的结构与设计 8.5 压阻式传感器的结构与设计 优点: 体积小，结构比较简单，动态响 　应也好，灵敏度高，能测出十几帕的 　微压，长期稳定性好，滞后和蠕变小， 　频率响