第讲 半导体基础知识.ppt

教学要求 1.掌握半导体的基本特征和PN的形成和特点. 2.掌握普通二极管和稳压管的外特性和主要参数，正确理解PN结的单向导电性。了解其它类型二极管 3.掌握晶体管的外特性和主要参数，理解晶体管的工作原理，了解光电三极管。 4.掌握场效应管的外特性和主要参数，理解场效应管的工作原理。 5.理解单结晶体管和晶闸管的相关知识 6.理解集成电路中元件。 第二讲 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的晶体结构 3、本征半导体中的两种载流子 （1）自由电子 晶体中的共价键具有很强的结合力，因此，在常温下，仅有极少数的价电子由于热运动（热激发）获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚变为自由电子。 （2）空穴 与此同时，在共价键中流下一个空位置，成为空穴。原子因失掉一个价电子而带正电，或者说空穴带正电。 在本征半导体中，自由电子与空穴是成对出现的，即自由电子与空穴数目相等，如图1.1.2所示 4、本征半导体载流子的浓度 （1）本征激发：半导体在热激发产生自由电子和空穴 的现象称为本征激发。 电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象成为复合。 （2）环境温度影响载流子的浓度 在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子和空穴对，与复合的自由电子和空穴对数目相等，故达到动态平衡，即本征半导体中载流子的浓度是一定的，是温度的函数。 在常温下，即T=300K时，硅材料的本征半导体载流子的浓度为:ni=pi=1.43*1010cm-3; 锗材料本征半导体载流子的浓度为: ni=pi=2.38*1013cm-3. 应当指出，本征半导体的导电性能很差，且与环境温度密切相关。 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面上就形成PN结。PN结具有单向导电性。 1、PN结的形成 (1)扩散运动的形成：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 (2)内电场的建立：当把P型半导体和N型半导体制作在一起时，在它们的交界面，两种载流子的浓度差很大，因而P区的空穴必然向N区扩散，与此同时，N区的自由电子也必然向P区扩散。由于扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降， P区出现负离子区，N区出现正离子区，他们是不能移动的，称为空间电荷区，从而形成电场。 随着扩散运动的形成，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，正好阻止扩散运动的进行。 (3)漂移的形成：在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动。当空间电荷区形成以后，在内电场作用下，少子产生漂移运动，空穴从N区向P区运动，而自由电子从P区向N区运动。在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。此时，空间电荷区具有一定的宽度，电位差为Uho，电流为零。 (4) PN 结的形成：是一个空间电荷区，是一曾非常薄的膜，约为几微米至几十微米。其形成过程见图1.1.5 (5) PN 结分对称和不对称两种 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的电流方程 由理论分析可知，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为 （1.1.2） 式中， Is为反向饱和电流，q 为电子的电量，k 为玻耳茲曼常数，T 为热力学温度。将式（1.1.2）中的kT/q 用UT 取代，称为电压当量则得 （1.13） 常温下，即T＝300K 时， UT ≈26 mV。 PN结的伏安特性 1.PN结的伏安特性的定义：由式（1.1.3）可知，当PN结外加正向电压，且时，uUT 时， 即i随u按指数规律变化；当PN结外加反向电压，且时， i?-IS 。其中u0的部分称为正向特性，u0的部分称为反向特性。 2.PN结的伏安特性的形状; 3.PN伏安特性曲线说明: (1)正向特性:正向导通 (2)死区电压及大小：硅管0.5V；锗管0.1V。 (3)反向特性:反偏截止,注意有弱小电流通过 (4)反向击穿 四、PN结的电容效应 * 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电