第二章氧化78.ppt

集成电路制造技术Manufacturing Technology of IC;第二章 氧化;氧化及热处理;;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;;例：SiO2掩蔽P扩散 P2O5+SiO2 →PSG(磷硅玻璃);2.3 硅的热氧化生长动力学; 表面已有SiO2后，这层已生成的SiO2对氧的阻碍，氧化速度逐渐降低。由于硅和SiO2晶格尺寸差异， 每生长1μm SiO2 ，约消耗0.44μm硅。 CSix=CSiO2x0 x=x0CSiO2/CSi=0.44x0 CSiO2=2.2X1022/cm3 CSi=5×1022/cm3 氧化工艺是一种热处理工艺。在IC制造中，热处理工艺除氧化，还包括退火、再分布以及回流工艺等。回流工艺利用掺磷的二氧化硅在高温下易流动特性，减缓芯片表面台阶陡度，减小金属引线断条情况。 ;退火： 也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气 氛中进行的热处理过程都可以称为退火。根据注入的杂 质数量不同，退火温度一般在450~950℃之间。 激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到激活杂质的作用。 消除损伤 退火方式： 炉退火，可能产生横向扩散！ 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) ;2.3.1 硅的热氧化; 干法氧化形成栅极SiO2膜，要求薄、界面能级和固定电荷密度低。 湿法氧化通常用来形成器件隔离用较厚的SiO2 。 SiO2膜较薄时，膜厚与时间正比。SiO2变厚，膜厚与时间平方根正比.形成较厚SiO2膜，要较长氧化时间。SiO2膜形成速度取决于经扩散穿过SiO2到达硅表面O2及OH基等氧化剂数量多少。湿法氧化，OH基在SiO2中扩散系数比O2大。 氧化反应时Si?表面向深层移动，距离为SiO2膜厚0.44倍。不同厚度SiO2，去除后Si表面深度也不同。SiO2膜透明，通过光干涉来估计膜厚。这种干涉色周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。 ;1.干氧氧化：高温下，氧气与硅片反应生成SiO2 机理－起始氧化： Si+O2 SiO2 后续氧化：a.O2先向Si/SiO2扩散； b.再在Si/SiO2继续氧化。 特点－速度慢；氧化层致密，掩蔽能力强； 均匀性重复性好；表面结构是非极性的硅－氧烷，不易浮胶。; 干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;2.水汽氧化：高温下，硅片与水反应生成SiO2 机理－①起始氧化：2H2O+Si SiO2+2H2↑ ②后续氧化－两种机理 一种：H2O先扩散到达Si/SiO2；再与Si氧化。 另一种：首先，H2O ＋SiO2→2(Si-OH) 或 部分H2 ，H2＋SiO2→2(Si-OH); Si-OH扩散达到Si/SiO2，再与Si反应 2(Si-OH)+Si-Si →2(Si-O-Si)+H2↑ ;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;;2.3.2 热氧化生长动力学;;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长速率—氧化层厚度与氧化时间的关系;2.3.2 热氧化生长动力学;;;2.4 影响氧化速率的因素2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素(自学);;2.4 影响氧化速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素;;2.4 影响氧??速率的因素 2.4.2 影响氧化速率的其它因素;;;2.4.2 影响氧化速率的其它因素;;2.5 热氧化的杂质再分布;B扩散; B扩散(H2气氛中); P扩散; Ga扩散;2.5 热氧化的杂质再分布;2.5 热氧化的杂质再分布;;2.6 薄