第八章霍尔传感器本章主要内容：本章主要介绍霍尔元件的结构原理.DOCVIP

第八章 霍尔传感器 本章主要内容： 本章主要介绍霍尔元件的结构原理及实际应用。 第一讲 霍尔效应和霍尔元件 教学目的要求：1.掌握霍尔效应的概念原理。 2.理解霍尔元件的测量电路。 3.深入了解霍尔元件的特性参数。 教学重点：霍尔元件的测量电路，霍尔元件的特性参数 教学难点：霍尔元件的特性参数 教学学时：2学时 教学内容： 一、 霍尔效应 1. 定义： 位于磁场中的静止载流导体，当其电流I的方向与磁场强度H的方向之间有夹角α时，则在载流导体中平行与H、I的两侧面之间将产生电动势，这一物理现象称为霍尔效应。 2. 霍尔电势： 如图8-1所示，把一块长为l，宽为b， 厚度为d的N型半导体，置于磁感应强度为B的外磁场中，当半导体中通以电流时， 半导体中的自由电荷（电子）受到磁场中 洛仑兹力FL和电场力的作用： 图8-1 霍尔效应原理 动态平衡时： 则有： 式中，——霍尔系数（m3/C） ——霍尔器件的灵敏系数 说明：霍尔电势与激励电流和元件所在位置的磁感应强度的乘积成正比。 二、霍尔元件和测量电路 １．霍尔元件 霍尔元件的结构如图8-2所示。图中的矩形薄片状的立方晶体称为基片，在它的两垂侧面上各装有一对电极，电极1-1用以加激励电压或流过激励电流，故称为激励电极，电极2-2作为霍尔电势UH的输出，故称为霍尔电极，基片的尺寸要求厚度d越薄越好，d越薄，霍尔元件的灵敏系数 越大，在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂封装作为外壳。图8-3是霍尔元件的通用图形符号。 图8-2 外形结构示意图 图8-3 图形符号 霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势UH数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度应远小于基片的长度。 2．霍尔元件的测量电路 8-5基本测量电路 (a) 直流激励 (b) 交流激励 图8-6 霍尔元件的输出电路 三、 霍尔元件的主要特性参数 1．输入电阻Ri和输出电阻Ro 定义霍尔元件激励电极之间的电阻称为输入电阻Ri。霍尔元件的霍尔电极输出的是霍尔电势，对外它是一个等效的电压源，这就需要知道霍尔电极之间的电阻，这个电阻称为输出电阻Ro。 2．额定激励电流IN和最大允许激励电流Imax 霍尔元件在空气中产生的温升为10℃时，所对应的激励电流称为额定激励电流IN。以元件允许的最大温升为限制，所对应的激励电流称为最大允许激励电流Imax。 3．不等位电势和不等位电阻 不等位电势；当霍尔元件的激励电流为额定值IN时，若元件所处位置的磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零，这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。 产生原因：不等位电势是由于两个霍尔电极安装时不在同一个电位面上所致，如图8-7所示。 不等位电阻：由图中可看出，不等位电势是由于霍尔电极2和2之间的电阻为不等位电阻。 图 8-7 不等位电势和不等位电 不等位电势的补偿方法：加电桥调零电位器 4．交流不等位电势与寄生直流电势 产生交流不等位电势的原因与不等位电势相同，而寄生直流电势的产生则是由于： （1）霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应。 （2）霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应，使激励电流中包含有直流分量，通过霍尔元件的不等位电势的作用反映出来。一般情况下，不等位电势越小，寄生直流电势也越小。 （3）当两个霍尔电极的焊点大小不同时，由于它们的热容量、热耗散等情况的不同，引起两电极温度不同而产生温差电势，也是寄生直流电势的一部分。 寄生直流电势可用图8-8所示电路测量，经变压器降压后的交流电源供给霍尔元件的激励电流，直流电位差计UJ-30的显示灵敏度应大于10-7V。 图8-8 测量寄生直流电势的电路图 5．霍尔电势温度系数α 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率，称为霍尔电势温度系数α。 6．霍尔灵敏系数KH 在单位控制电流和单位磁感应强度作用下，霍尔器件输出端的开路电压，称为霍尔灵敏系数KH，霍尔灵敏系数KH的单位为V/（A·T）。 四、 霍尔器件的材料选择 霍尔器件常用锗、硅、砷化镓、砷化铟及锑化铟等半导体材料制作。砷化镓的霍尔系数大，电子迁移率也较高，禁带宽度大，则温度稳定特性好，N型硅的工作温度范围较宽