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第 59卷 第 2期 20 10年 2 月 物 理 学 报 Vol. 59 ,No. 2 , February, 20 10
/20 10 / 59 (02) /1 3 1407 ACTA PHYSICA SIN ICA 20 10 Ch in. Phys. Soc.
过渡金属掺杂钛酸纳米管的电子结构和
光学性质研究
乐伶聪 马新国 唐 豪 王 扬 李 翔 江建军
(华中科技大学电子科学与技术系 , 武汉 430074 )
(2009 年 4 月 29 日收到 ; 2009 年 6 月 24 日收到修改稿 )
( ) ( )
采用平面波超软赝势方法计算了过渡金属 TM Fe, Co或者 Ru 掺杂钛酸纳米管的电子结构及光学性质. 对
TM 取代钛酸纳米管层间间隙位 H + 的几何结构进行优化 ,发现掺杂对几何结构的影响较大 ,其中 Co或者 Ru 掺杂
的形成能均较低. 此外 ,掺杂的 TM 与周围的 O 原子成键 ,有形成固熔体的趋势. 掺杂后的能带结构分析表明: Fe,
Co或者 Ru掺杂导致钛酸纳米管禁带宽度减小并且于禁带中引入了新的能级 ,这主要归因于 b1g ( d 2 2 ) 及 a1g
x - y
( d 2 )态的出现 ; 部分杂质能级处于半填充状态 ,成为空穴的俘获中心 ,减少电子和空穴的复合 ; 掺杂后 ,价带顶向
z
低能方向移动 ,使价带中形成的空穴氧化性更强. 最后 ,掺杂的钛酸盐纳米管的吸收光谱显示 , Ru掺杂的钛酸纳米
管导致其在可见光范围内有更强的吸收.
关键词 : 钛酸盐纳米管 , 掺杂 , 光学性质 , 第一性原理
PACC : 7840 , 7 155 , 7 115A , 7 125
导致在可见光区显示出强的吸收带. Song等 [ 9 ] 也制
1引 言 备了不同 TM 掺杂的 TN Ts,发现它们降解亚甲基蓝
的光催化活性很不相同. 文献 [ 7—9 ]中的实验结果
TiO2 是一种重要的宽禁带半导体材料 ,具有优 均显示 TM 取代了 TN Ts层间的 N a+ 或 H + ,而并非
[ 1, 2 ] 4 +
异的光电和光催化性能 ,使其在光催化技术 和 取代钛酸晶格中的 Ti 离子 ,这与以往研究的 TM
[ 3, 4 ]
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