吉林大学电力电子基础2.ppt

第二讲 电力电子器件 * 小结 发展现状 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：中小功率领域特别是低压，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势 第二讲 电力电子器件 * 集成门极换流晶闸管(IGCT) IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor) 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。 可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很大。目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 第二讲 电力电子器件 * 功率模块与功率集成电路 基本概念 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 实际应用 高压集成电路（High Voltage IC—HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power IC—SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块（Intelligent Power Module—IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 第二讲 电力电子器件 * 功率模块与功率集成电路 发展现状 功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 第二讲 电力电子器件 * 6.电力电子器件的驱动概述 驱动电路 将电力开关器件由关断状态变为导通 将器件的开通时间最小化 提供足够的驱动电力使电力开关器件保持导通 将电力开关器件由导通状态变为关断 将器件的关断时间最小化 提供偏置电能确保电力开关器件保持关断 当检测到过电压或过电流时实现电力开关器件的保护 用于放大控制信号以满足驱动开关器件的电力要求 在有需要时提供电力开关器件和逻辑级信号处理电路及控制电路之间的电气隔离。一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器；磁隔离的元件通常是脉冲变压器。 第二讲 电力电子器件 * 电力电子器件的驱动概述 分类 按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 第二讲 电力电子器件 * 晶闸管的触发电路 功能：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 晶闸管触发电路应满足： 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。 触发脉冲应有足够的幅度。 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。 有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 I I M t 1 t 2 t 3 t 4 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 第二讲 电力电子器件 * 晶闸管的触发电路 常见的晶闸管触发电路 V1、V2构成脉冲放大环节。 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。 ?V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 VD1和R3是为了V1 、 V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设 晶闸管基本触发电路 第二讲 电力电子器件 * 典型全控型器件的驱动电路 1.电流驱动型 GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流 使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和