IGBT的栅极驱动电路.ppt

3.2IGBT的栅极驱动电路 3.2.1 对IGBT栅极驱动电路的要求 IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。 栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。 栅极驱动条件与器件特性的关系 栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。 栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏，IGBT对驱动电路有许多特殊的要求： 1) 驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。 2) IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度。 瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损坏。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 3) IGBT的栅极驱动电路提供给IGBT的正向驱动电压十VGE要取合适的值，特别是具有短路工作过程的设备中使用IGBT时，其正向驱动电压更应选择所需要的最小值。 4) IGBT的关断过程中，栅一射极间施加的负偏压有利于IGBT的快速关断，但也不宜取的过大。(一般取-10V) 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 5) 在大电感负载的情况下，过快的开关速度，反而是有害的，大电感负载在IGBT的快速开通和关断时，会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压Ldi/dt，该尖峰不易吸收，容易造成器件损坏。 6) 由于IGBT多用于高压场合，所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 7) IGBT的栅极驱动电路应尽可能地简单、实用，应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗尽可能地低。 8) 驱动电路的栅极配线走向应与主电流线尽可能远，同时驱动电路到IGBT模块栅一射引线应尽可能的短，采用双绞线或同轴电缆屏蔽线，并从栅极直接接到被驱动IGBT的栅一射极。 9) 同一电力电子设备中，使用多个不同电位的IGBT的时候，一定要使用光隔离器，解决电位隔离的问题。 2. ?IGBT栅极驱动电路应满足的条件 1) 栅极驱动条件对IGBT特性的影响 通态压降和开通损耗与栅极电压关系曲线 2) 负偏压-VGE对IGBT的可靠运行的影响 图3.7 集电极浪涌电流和关断能耗与栅极负偏压的关系 3) 栅极电阻RG的影响 栅极电阻RG增加，将使IGBT的开通与关断时间增加，因而使开通和关断能耗均增加。 而栅极电阻减小，又使dic/dt增高，可能引发IGBT误导通，同时RG 上的损耗也有所增加。但RG 的增大会使IGBT的开关时间增加，进而使开关损耗增加， 图3.8 栅极电阻的影响曲线图 栅极电阻的选取 根据IGBT的电流容量和电压额定值以及开关频率的不同选择不同的RG 阻值，一般应选RG 在几欧姆到几十欧姆之间，如下表所示 3.2.2 EXB840系列集成驱动电路 1. 主要性能指标。 1) 最高工作频率：40kHZ 2) 驱动输出电压：±20V 3) 光耦输入电流：10mA 4) 输出栅流峰值：±4A 5) 驱动器件：300A/1.2kV的IGBT 6) 短路屏蔽时间：1.3us EXB841集成驱动电路的原理图 a) 结构图 b) 原理图 c) 接线图 1—过电流保护电路 2—信号隔离电路 3—电压放大电路 （2）工作原理 ① 开通过程。 T1截止，使＋20?V电源通过R3向电容C2充电，B点电位上升，由于IGBT约1??s后导通，uCE下降至3?V，从而将EXB841引脚6的电位钳制在8?V左右 ，因此，B点和C点电位只能到8?V左右。DW1?的稳压值为13?V 。 当IGBT正常开通时，DW1?不会被击穿，T3不导通 。 ② 关断过程。 T1导通，使C2通过T1放电，将B点和C点电位钳制在0?V，DW1仍不导通，后面电路不会动作，IGBT正常关断。 ③ 保护动作过程。 3.2.3 ?HR065 IGBT厚膜集成驱动电路 （1）内部结构和工作原理 HR065的内部电路原理图 此段时间以后，如过电流故障仍然存在，在输入封锁信号作用下，光耦合器?OC1?中的晶体管截止，使T1导通，立即在IGBT栅极上形成负偏电压而关断器件，同时T6导通，故障检测电路不起作用。 T6起着一个逻辑电路的作用，即只在驱动器输出正向电压时才开放过电流检测电路，其他情况下均使其无效，这样才能可靠地防止“假过电流”。 3.2.4 M579系列集成驱动电路 M5