电力电子应用 电力电子器件新进展.doc

Beijing Jiaotong University 电力电子器件新进展 组员姓名：TYP 指导老师：王琛琛 完成日期：2012.5.15 【目录】 引言 电力电子器件在材料上的发展 2.1制造工艺 2.2材料特性 2.3碳化硅应用 2.3.1碳化硅肖特基势垒二极管（SBD） 2.3.2碳化硅场效应器件 2.3.3碳化硅功率双极器件 2.3.4 未来展望 3. 新型电力电子器件的应用 3.1 IGBT 3.2 MOS控制晶闸管 3.3 IGCT 3.4 SITH器件 3.5 功率IC器件 参考文献 【摘要】 本文主要阐述了电力电子器件的新进展，内容包括电力电子器件新型材料和电力电子器件在新领域的应用等两个方面。 【Abstract】 This paper mainly introduces the new developments of the power electronic components, including the new kind of materials and the application on some new fields. 【关键词】 电力电子器件，材料，应用 【Key Words】 Power electronic components，materials，application 【正文】 1、引言 电力电子是一个从上世纪50年代才渐渐兴起的学科，但随即就带来了材料，器件上的突飞猛进。在材料上，最早使用的硅半导体已经没什么很大的发展空间了，而且硅型器件本身的性能也不是很理想，而现在逐渐发展的碳化硅材料，以其优良的性能受到越来越多的器件厂商的青睐，在不久的将来，必将成为主流半导体材料；在器件上，从不控型器件，如功率二极管，到半控型器件，如晶闸管，再到现在的GTO，IGBT，IGCT，每一种器件的更新换代，都带来控制系统的更新，特别是控制性能优良的IGBT，已经成为现在大型控制系统的主流开关器件。本文将对电力电子器件的新型材料和新领域的应用做详细介绍。 2、电力电子器件在材料上的发展 众所周知，电力电子领域中在所用半导体材料上的每一次变革，必将引领电力电子器件在各方面性能上的大飞跃。从最早的硅半导体，到砷化镓，再到现在渐渐兴起的碳化硅，每种材料的参数都在演变更新的过程中变得越来越利于应用。其中碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，作为等半导体材料的重要补充，可制作出性能更加优异的高温(300～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。 2.1 制造工艺 在半导体科学与技术的发展进程中，碳化硅材料与器件的研发起步较早但其前期进展十分缓慢，其原因主要在于碳化硅晶体生长技术的特殊性。由于碳化硅在常压下难以生成熔体，加热到2400℃左右就会升华，其难度自然比锗、硅、砷化镓等常用半导体的制备困难得多。虽然碳化硅器件工艺和设备都与硅器件有很强的兼容性，但也远不是可以原封不动地照搬。与硅相比，碳化硅器件工艺的温度一般要高得多，同时，碳化硅晶片较小、易碎、透明，而且价格昂贵，大公司的生产线较难适应，倒是一些大学实验室比较灵活，成为开发碳化硅器件工艺的主力。目前，制造碳化硅电力电子器件仍主要采用4H—SiC或6H—SiC晶片为衬底，以高阻外延层作为反向电压的阻断层。因此，高阻厚外延技术成为碳化硅外延工艺的研发重点。 碳化硅制造的困难在1990年左右得到初步解决之后，马上就出现了碳化硅器件蓬勃发展的局面，这在很大程度上得益于碳化硅器件工艺对硅器件工艺的极大兼容和借鉴。而且，它的微管（微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷，其密度直接决定着碳化硅器件有效面积的大小）缺陷密度越来越低，现已降到100cm-2以下，优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2的水平。所以，一旦材料制备工艺臻于成熟，碳化硅器件和集成电路就会比其他化合物半导体的器件和集成电路发展得更快。 2.2 材料特性 美国电力电子系统中心的李泽元博士指出，硅器件的发展，在今后已没有什么可突破的空间了，目前研究的方向是碳化硅等下一代半导体材料。用这种新型半导体材料制成的功率器件，性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级 碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点高的禁带宽度金属禁带非常窄，绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度反向耐压，正向压降，高的饱和电子漂移速度，高的击穿强度，低的介电常数和高的热导率。上述这些优异的物理特性决定了碳化硅在高温高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流条件下器件的漂移区电阻要比硅低200倍，导通压降比单极型、双极型硅器件的导通压低得多而且，器件的开关时间可达10ns量级，并具有十分优越的FBSOA）。 2.3 碳化硅应用 就应用要求而言，电力电子