电力电子技术考前复习资料电力电子器件.ppt

电力电子器件 1）概念： 电力电子器件（Power Electronic Device） －－可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） －－电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 2）同处理信息的电子器件相比的一般特征： 处理的功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 电力电子器件的损耗 电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。 PN结具有承受一定的反向电压的能力，但当施加的反向电压超过其承受能力，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置的截止状态，称为反向击穿。 反向击穿按照机理不同有雪崩击穿和齐钠击穿。 反向击穿时，只要外电路中采取措施，将反向电流限制在一定范围内，则当反向电压降低后仍可恢复原理的状态。如果反向电流没有被限制住，反向电流过大使得PN结功耗增大，导致PN结温度升高，直至过热而烧毁，发生热击穿。 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的特点 电力电子技术基础 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor — GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的结构和工作原理 电力电子技术基础 结构：与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极 和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的结构和工作原理 电力电子技术基础 与普通晶闸管一样，可以用右图所示的双晶体管模型来分析 ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO与普通晶闸管的区别 电力电子技术基础 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： （1）设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于 GTO关断 （2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15） 导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极 控制关断，但导通时管压降增大 （3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO与普通晶闸管的区别 电力电子技术基础 导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程 度较浅 ?关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门 极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流 当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的动态特性 电力电子技术基础 开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr ?????? 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的动态特性 电力电子技术基础 关断过程：与普通晶闸管有所不同 抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf 残存载流子复合——尾部时间tt 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短 门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间 电力电子技术 第二部分 电力电子器件 ——GTO的主要参数 电力电子技术基础 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 1)开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大 2)关断时间toff 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，