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2006 年用户年会论文 半导体霍尔器件热特性参数化分析 孙先国 李伟剑 谭小春 [上海凯虹电子有限公司研发部 201612] [摘 要] 本文利用ANSYS 软件建立了半导体霍尔器件的参数化模型，研究了不同设计参数下对其散热 特性的影响，为提高封装的可靠性打下了基础，可望降低研发的费用和缩短研发的时间。 [关键词] 霍尔器件，半导体，热分析，参数化 The Parameterized Thermal Analysis of Semiconductor Hall Device Mike Sun William Lee Forllin Tan Shanghai Kaihong Electronic Co., Ltd.(Diodes Inc., China) 201612 [Abstract] A parameterized prototype of FEM model is established to simulate the thermal characters of semiconductor hall device package through the variation of design parameter. This optimization will improve the reliability of package and save the time and money greatly. [keywords] Hall device, Semiconductor, Thermal Modeling, Parameterization 1 引言 半导体霍尔开关器件广泛应用于计算机、通信、汽车电子等产品，在工作过程中，由于 频繁的电流通过会产生大量的热量。随着这些产品不断轻、薄、短、小地发展趋势，其散热 性能的研究日益成为重要的课题，如果设计不当，其产生的热量无法通过正常途径散发出去， 不断升高的温度不但影响器件本身的工作性能，由此带来的因材料膨胀系数不同而产生的热 应力可能足以产生芯片开裂失效的严重后果。一般的设计流程是根据设计图纸做出样品再进 行性能测试，这往往会花费大量人力物力，因此有必要提前仿真预测产品的性能并找出问题 所在，以供其他技术人员参考并提出改进意见，节约研发的时间，这对竞争激烈的半导体行 业尤其重要。 2 有限元数值模拟 2.1 模型建立及网格划分 半导体霍尔器件采用被称之为四边扁平无引脚（QFN ）封装的方法，通过Die Bond 将 芯片粘结在固定的框架上，然后通过Wire Bond 、Molding 、Marking 等一系列的操作封装成 型并最后通过SMT 技术贴装到到PCB 基板上，芯片封装结构如图 1 所示。 为了研究不同芯片尺寸对散热特性的影响，导入框架模型后，利用 APDL 语言建立了 电子封装器件的参数化有限元模型。芯片的初始尺寸是1.3×0.76×0.14mm，芯片厚度不变， 2006 年用户年会论文 设定kf 乘积因子使芯片的长度和宽度随kf 值等比例的变化。建模过程中发现，ANSYS 软 件一些独特的布尔操作功能为模型的建立带来了很大的方便，建模的具体过程如下，建模完 成后最终的整体几何模型见图2 ，可见霍尔器件相对于PCB 来说是很小的。 /PREP7 kf=1 *SET,diex,1.37*kf *SET,diey,0.76*kf *SET,diez,0.14 BLOCK,-diex/2,diex/2,-diey/2,diey/2,0.152,0.152+diez, BLC5, , ,2.6,2.6,0.6 BLC5, , ,50,50,-1.5 VOVLAP,A