致发光屏界面的阻抗谱和分形研究①.pdfVIP

、 厦门大学学报 (自然科学版) Vo1．32 No．4 第 32卷 第 4期 1993年 7月 Journal0fX[amenUniversity (NaturalScience) Ju】．1993 致发光屏界面的阻抗谱和分形研究① 帅建伟 蓝坚仝 洪秀霞 吴伯僖 电勺 一 (物理学系) 弋～ 摘要 采用电学方法测量ZnStMn．cuDCEL粉末屏的复阻抗谱．运用多节RC等效电路、 遣渗理论和自仿射康托体分形摸型，分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化 ．认为遣渗 相变形成发光区 ．发光区导电相分布具有分形特征．发光 区内锕离子进一步迁移导致老化 ·老化屏 发光区分维值趋于 2． 、 关键词 苎堕，遣渗， 强筻 ，群 匆 20多年来，利用各种宏观 电、热、光学等测量手段 ，对 粉末 Ef-~EL器件在形成，老化过程 中的各种宏观变化规 律 ，如 J— 、B— 、B—I、CV、B—f、c—f等，进行 了大量的工 作 ，但对器件的夏阻抗谱研究仅见文献0报道．由于DCEL 粉末器件的复杂性 ，对器件形成、发光和老化机制的研究难 2．0 于深入．近年来 ，对复杂现象的研究有 了一些新 的理论方 法 ．本文尝试用分形、逾渗等理论分析 EL屏的复阻抗谱， 1-6 从而对DCEL器件的形成和老化获得一些新的认识． 1 实验原理及样品 d DCEL器件的复阻抗谱 ，是指在不 同频率的小信号 电 1．2 压输入下，经过 EL器件后输出电压的振幅相位的变化规 3 律．本实验主要利用PRAC5206型锁相放大器，建立 了一 0．8 套阻抗谱测量系统 ，该系统有关振幅相位的精度优于 l 、 实验样 品采用包铜 ZnSzMn，CuDCEL粉末屏 ，前 电 极为SnO：，背 电极为 sn．样品在连续使用后发生老化 ，为 保持一定亮度而不断升高使用 电压，本实验测量了形成前 、 形成过程和连续老化升睚使用后样品的阻抗谱 ． 2 样品阻抗谱的测量分析 0 1 2 3 4 5 1日 ／}k 2．1 形成过程阻抗谱分析 圈i 样品在形成前和连续老化升 图 l画出了样品在形成前 (0V 曲线)和连续老化升压 压使用后的电抗曲线 使用后的阻抗谱虚部(电抗)曲线． Fig．1 Thereactancevs frequency 形成前电抗谱有两个极点谱峰m和 ，它们分别对应 0fpanelbeforeforming and duringtheagingprogress ① 本文 1992一i2-12收到 ， 国索 自然科学基金资助项 目 第4期 帅建伟等：电致发光屏界面的阻抗潜和分形研究 于包铜 区及背 电极界面层．背 电极界面处可能存在氧化层及空间电荷区． 实验中，当形成 电压