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第4章 光辐射探测器的理论基础 主要内容： 4.1 半导体基础知识 4.2 光电效应 4.3 光热效应 4.4 光电检测器件的分类 4.5 探测器中的噪声 4.6 探测器的主要特性参数 4.1 半导体基础知识 4.1 半导体基础知识 ●物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物 体吸收，其余的光透过物体。 ●吸收包括：本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、 激子吸收、晶体吸收等。 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 4.2 光电效应 * * 1.半导体概述 导体、半导体和绝缘体 自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。 固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 电阻率10-6 ~10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 半导体的特性 半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。根据这一特性，热电探测器件。 导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。（纯净Si在室温下电导率为5×10-6/(欧姆?厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2 /(欧姆?厘米) 半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。 2.半导体的分类 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和锗