进入纳米时代的CMOS设计.PDF

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2017-06-24 发布于天津
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进入纳米时代的CMOS设计

CMOS ( , 10087 1) : 本论文着重论述未来CMOS 进入纳米尺寸的关键挑战, 如: 电源电压和阈值电压减小短沟效量子效杂质数起伏以及互连线延迟等影响分析了纳米CMOS 器件结构的设计, 讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构, 包括SOI CMOS双栅和环栅MOSFET 凹陷沟道MOSFET 动态阈值 MOSFET 以及低温CMOS, 它们可能把我们带至硅器件设计的最远极限 : 纳米CMOS SOI 器件双栅环栅凹陷沟道动态阈值低温CMOS , Vth 1 ( ) , 80 CMOS , VLSI , ( ) CMOS VLSI , 018m CMOS 22 DRAM 500MHz / 108 01m , CMOS 001m CMOS Vth 15V NMOS PMOS , fT 118GHz 67GHz[ 1 , L CMOS Vth , 02m , , ( retrograde) [3 CMOS , 1 , CMOS , Xs , 2 CMOS 100nm , , CMOS 01m ( halo) , , Vth 2 : , , , , , , , , 01m , [4 21 , 23 , , , , ( Vth) ( Ln 10) ( mkT/ q) , Vth 01V, 15V , 36nm