锡－铟氧化导电膜光电特性的研究Thephotoelectricproperties.PDFVIP

49 國立高雄海院學報 第十八期 錫－銦氧化導電膜光電特性的研究 The photoelectric properties research of ITO conducting film a * a a a b 吳基榮 、楊逸辰、 葉秀聰、 蘇睿傑、 劉伍健 a K. R. Wu, a Y. C. Yang, a S. T. Yeh, a J. C. Su, b W. C. Liu a 、國立高雄海洋技術學院 輪機工程系 b 、金屬工業研究發展中心 處理製程與設備組 a. National Kaohsiung Institute Marine Technology Department of Marine Engineering b. Metal Industry Research and Design Center Treatment Processing and Equipment Section 摘 要 使用封閉式非平衡磁控濺鍍方式，在玻璃及矽晶片的基材上，濺鍍錫－銦氧化物薄 膜。利用實驗可以得到氧氣分量、氬氣壓力、被鍍物與靶材的距離、濺射功率對於錫－ 銦氧化物薄膜的透光率、電阻以及薄膜厚度的影響，並且討論試片經過退火處理以及多 層膜的處理後，其電阻及透光率的改變程度。 關鍵字：ITO(銦－錫氧化物) ，封閉式非平衡磁控濺射，退火，多層膜 Abstract In this preliminary study, a closed-field unbalanced magnetron system was used to sputter the ITO (indium-tin oxide) on glass and silicon wafer substrate, respectively. The effects of process parameters, such as oxygen flow rates, partial argon pressure and distance between target and substrate, on the photoelectric properties of ITO films were investigated. It was found that the oxygen flow rates had profound influence on the volume resistance of the films. Post annealing and multi-layered structure could significantly improve the conductivity 錫－銦氧化導電膜光電特性的研究 50 of the films. Key words ：ITO film (indium-tin oxide), unbalance magnetron, annealing, multi-layer 壹、簡介 銦－錫氧化物薄膜(Indium-Tin Oxide)是現今工業界中相當被廣泛所使用的一種氧 化物導電薄膜，例如觸控式顯示面板、平面顯示器、太陽能電池[1]等等。目前所有的銦 －錫氧化物導電膜(以下簡稱ITO 導電膜) ，都朝著低電阻、高透光率的方向來研究，例 如使用低溫濺射、使用退火製程[6] ，或者改變氧氣的分量、氬氣偏壓等參數[7] 。一般 的薄膜沈積之方式有射頻濺射法(R.F. magnetron sputtering)[2] 、直流磁控濺射法(D.C. magnetron sputtering) ，由於濺射的方式有下列幾項優點：1.元素、合金及化合物均可濺 射；2.濺射靶材可提供一穩定