电子束晶圆直写微影之三维散射物理模型与抗散射薄膜研究.PDF

■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 電子束晶圓直寫微影之三維散射物理模型研究 計畫類別： ■個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號： NSC 96-2221-E-006 -342 - 執行期間： 96 年 8月 1日至 97 年 7月 31日 計畫主持人：林俊宏 共同主持人： 計畫參與人員：方禎祥、胡家瑜、黃于豪 成果報告類型依經費核定清單規定繳交( ) ：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位：國立成功大學光電科學與工程研究所 中 華 民 國 97 年 10月 15日 中文摘要 微影技術是決定半導體 IC 工業發展的重要關鍵，在微影技術的領域裡，對於更小線寬的圖 案製作需求是永無止境的。微影和奈米製造技術除了在奈米電子領域扮演重要角色之外， 在其他領域，像是奈米光電、生物科技、微機電系統等，也是具有舉足輕重的地位。在傳 統的光學微影術將要到達其解析極限之後，下一世代微影術將有機會在 32 奈米以下解析能 力嶄露頭角，在具有潛力的下一世代微影技術中，無光罩的電子束投影微影術將是一個非 常具有潛力的微影技術。在本研究中，我們開發一個以蒙 地卡羅為基礎的模擬程式，用來 研究電子束微影束之電子散射。 Abstract Lithography technologies for making future ULSI circuits plays one of vital roles in determining the development direction of semiconductor industries. The demand of ever-smaller CD in lithography is steady and continual. Besides playing important role in nanoelectronics, lithography and nanofabrication is also a key technology in the fields of the nanophotonics and biochemical technology. The next-generation lithography (NGL) alternatives are all candidates at and below 32 nm. Of the possible NGL technologies, Maskless electron beam lithography is an attractive candidate and a potential successor to o