反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO_2缓冲层.pdfVIP

第31卷 第6期 稀 有 金 属 2007年 12月 V01．31№ ．6 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS Dec．2007 反应溅射法在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层 雷跃刚，王霈文，李 搜，古宏伟 (北京有色金属研究总院超导材料研究中心，北京100088) 摘要：用金属铈作为靶材，采用射频反应磁控溅射法在(1lO2)蓝宝石衬底上制备c轴取向ceo2外延薄膜缓冲层。结果表明在温度低于450 ℃或溅射功率低于5Ow的条件下CeO2薄膜呈(1l1)取向生长；升高温度和功率CeO2薄膜的(1l1)取向减弱，(002)取向增强；在温度高于 750 oC或溅射功率高于120W条件下ce02薄膜呈(1l1)取向和(002)取向混合生长。结合x射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构 和表面形貌，获得在最优化条件下(衬底温度在680℃左右，溅射功率在8Ow左右，溅射气压在25 Pa，氩氧比在15：1)制备的CeO2薄膜具 有优良的面内面外取向和平整的表面。 关键词：反应溅射；CeO 缓冲层；蓝宝石；外延生长 中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：0258—7076(2007)06—0750—05 应用于微波领域的高温超导薄膜最重要的两 而言，CeO 在a轴方向上失配度为6％，b轴失配 个参数是微波表面电阻(R )和临界电流密度 度为12％；与YBCO的失配度仅为0．9％；其介电 (．， )[1]。目前，国外低R 高．， 的大面积高温超导 常数约为26，高温下化学稳定性好[5 ]。 薄膜已经商品化。而国内的大面积YBa2Cu O 一 为提高沉积速率，本论文采用金属铈作为靶 (YBCO)薄膜的制备技术还有待进一步提高，才能 材，用射频反应磁控溅射法在蓝宝石衬底上外延 满足越来越多的高温超导微波器件及高温超导微 生长CeO 薄膜缓冲层。 波集成子系统的研制需求。蓝宝石单晶是一种很 1 实 验 好的衬底材料。其机械强度大，热导率高，介电常 数小(e。=9～12)，介质损耗低(tan83×10 )， CeO 薄膜是在射频磁控溅射设备上制备完成 微波性能优异，并且大面积蓝宝石单晶材料已实 的。衬底为RE—A1 O (1 702)单晶片，其厚度为0．5 现工业化生产，价格相对便宜[2“]。然而，在蓝宝 mm。金属铈靶的直径为75 mm，厚度为5 mm。镀 石衬底上却难以直接生长性能良好的YBCO薄膜。 膜前，衬底先在丙酮中超声清洗5 min，然后冷风 主要原因是蓝宝石与YBCO的晶格常数、热膨胀 吹干。在每次溅射进行前，都先在纯Ar气氛中预 系数差别大，并且在高温下蓝宝石很容易与氧化 溅射10 min左右，以除去金属铈靶表面的氧化物， 钡作用生成铝酸钡，妨碍生成高温超导化合物_1 j。 当观察溅射稳定时，通氧气再预溅射5 min左右， 为了解决上述问题，可以在蓝宝石与YBCO 当观察溅射再次稳定时，移开挡板进行反应溅射 薄膜之间制备一层缓冲层。缓冲层的晶格常数和 沉积。制备CeO 薄膜的工作参数如下：采用溅射 热膨胀系数介于两者之间，且化学性质稳定，在高 气氛为Ar：O 为15：1混合气体，衬底温度450— 温下不发生反应_2]。通过大量的实验证实，CeO 是 750℃，背底真空1．1×10～Pa，溅射气体总压 一 种非常合适的缓冲层材料。其热膨胀系数介于 25 Pa，溅射功率为30—120 W，溅射时间1 h。 蓝宝石和YBCO之间；CeO2具有CaF2结构，属立 对于实验结果分析，本论文采用北京普析通 方晶系，晶格常数是0．5411 nm，与蓝宝石 a=