扩镓基区晶体管负阻效应的研究.pdfVIP

存在的机理，具有重大的理论价值，潜在着广阔的应用前景。 复合结构中的扩散特性，Ga的分凝规律，叙述了硅中Ga掺杂的研究现状。通过对 Ga掺杂在分立器件领域中应用的分析，展望了硅中Ga掺杂的广泛应用前景。重点 介绍了目前开管Ga扩散工艺的发展现状和开管扩镓晶体管负阻效应的研究现状。 第二章是实验部分。首先介绍了制备各种样品所用的实验仪器、设备与方法； 第二节中介绍了实验系统。包括氧化系统、扩散系统，第三节介绍了样品的制备， 包括Ga的预沉积、再分布、二次氧化样品，扩硼样品．以及扩镓晶体管、扩硼晶 体管和扩镓后再补充扩硼晶体管的制备流程；实验所得样品，借助二次离子质谱 (SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针薄层电阻等先进的测试分析方法进行分析。 第三章主要研究内容包括：本章首先通过对扩硼晶体管、扩镓晶体管和扩镓 后再补充扩硼晶体管有关参数的测试，提出了负阻效应，通过对三种管子的比较 分析发现，负阻与小电流下电流放大系数的关系；第二节分析了影响小电流放大 的主要因素，这些因素与杂质浓度分布特别是在近硅表面的分布有密切关系；第 质出现三次丢失，导致从近硅表面到硅体内微区域出现杂质耗尽，这种低杂质分 布是造成小电流放大性能的劣化的主导因素；第四节讨论了这种杂质分布对负阻 分布，进一步验证了负阻效应与Ga杂质分布的关系，明确了负阻存在的机理，最 后提出了减小负阻的措施。 近硅表面，表面复合速度，侧 关键词：Ga，负阻效应。SiOt．Si内界面。 空间电荷区 分类号：TN305．4 Abstract in of Resistance InvestigationNegative transistor Abstract is and in Transistorviewedasavery device switching importantamplification micro-electricconsistsof is a field．It transistor manyspecies，ofwhichhigh-voltage playing in rolenational the of formation development key productions．With dopingtechnology,the of in canbe B thebase transistormade diffusion regionhigh-voltage by diffusion Ga-diffusion and paste-layer technology,close-tubetechnologyopen—tube gaUium-diffusiontechnology．