新余学院2012年度大学生创新实践训练计划项目成果报告.docVIP

附件2 2012年度大学生创新实践训练计划项目 成果报告 项目名称 项目编号 项目级别 项目负责人 学院、年级、专业 联系电话 QQ 号 年 月 日 新余学院创新实践项目成果成果精粹式样 一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。 二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。 四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。 五、图表：图表内容五号宋体。 六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。 八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4纸单面打印。 具体书写式样如下： 1、目录式样 目 录 项目成果的目的意义…………………………1 1 .1 ……………………………………………………………………………………1 1.1.1 …………………………………………………………………………1 1.1.2 …………………………………………………………………………3 第二章 项目成果的创新性 …………………………………………31 2. 1………………………………………………………………………………………32 第三章 项目成果的制作过程 …………………………………………31 第四章 项目成果的使用说明 …………………………………………31 结论 ……………………………………………………………………………………… 136 参考文献（References）……………………………………………………………………138 3、正文式样 第1章 GaN基半导体材料及器件进展 1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的进展 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 ………… 1．2 III族氮化物的基本结构和性质 ………… 4、图表式样 （1）表式样 表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、(c和T0的值 样品类型 实验方法 带隙温度系数 dEg/dT(eV/K) T=300K Eg0(eV) (c (eV/K) T0 (K) 参考文献 GaN/Al2O3 光致发光 -5.32(10-4 3.503 5.08(10-4 -996 61 GaN/Al2O3 光致发光 ( 3.489 7.32(10-4 700 59 GaN/Al2O3 光致发光 -4.0(10-4 ( -7.2(10-4 600 62 GaN/Al2O3 光吸收 -4.5(10-4 ~3.471 -9.3(10-4 772 63 I 小三号宋体加粗，居中。中间空一个字符 一级标题，小四号宋体加粗，居左。 二级标题小四号宋体，居左，首行缩进1个字符。 三级标题小四号宋体，居左，首行缩进2个字符。 表标题5号宋体居中，加粗，序号同各章节，放置表格上方，同一表格须放置于同一页内，表格内容5号宋体 正文小四号宋体居左，首行空2个字符，行间距1.5倍 三级节标题小四号宋体居左，段前段后各空一行 一级章标题黑体四号居中，加粗，章标用阿拉伯数字 二级节标题四号宋体居左，段前段后各空一行