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1 Email: guolh01@163.com Email: guolh01@163.com 高效太阳电池的 制造原理 Guo Lihui 光电效应 1839年，法国物理学家A.E，贝克勒尔（A.E,Bequral）发现金属浸入溶液 的“光生伏打效应” 1883年，有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应。 Guo Lihui D. Chapin G. Pearson C. Fuller 第一个具有实用性的Si太阳电池（6%） Guo Lihui 1957年，前苏联第一颗卫星，“Spurnik”； 1958年，美国“先锋一号”卫星； 1971年，中国“实践二号”卫星。 Guo Lihui PV System 并网系统（Grid-connected） 独立用户系统（Off-grid, Stand-alone） Guo Lihui Wafer Cell Module 太阳电池及组件 从硅片（wafer）到太阳电池组件（module) 高纯 硅原料 单晶、 铸锭 切片 电池 组件 系统 Guo Lihui 背铝电极 + - - - - - - + + P-Si 扩散n区 入射光 SiN层 银栅电极 Guo Lihui Si Si Si Si Si Si Si Si Si - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Si Si Si P Si Si Si Si B - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + Ec Ev Ef 非平衡载流子 Ec Ev Ef Ec Ev Ef 非平衡少数载流子 空穴 非平衡少数载流子 电子 掺杂磷—P 掺杂硼—B 光生少数载流子的产生 Guo Lihui 体内复合—少子寿命 + - - - - - - + + P-Si 扩散n区 入射光 SiN层 背铝电极 银栅电极 + + Guo Lihui PN结 （掺硼）p-type Si Sub （掺磷） n-type Guo Lihui A0=1，由基区、发射区决定的复合； A0=2，由耗尽层决定的复合。 太阳电池的等效电路 基区、发射区复合 耗尽层复合 Guo Lihui 硅太阳电池生产技术的研发 增大捕获入射光 表面织构技术； 表面抗光反射膜； 背面光反射； 电极合理化设计。 减少光生少子在体内、表面的复合 表面低温钝化工艺； 尽量采用全低温工艺； 吸杂技术； 晶界悬挂键饱和（多晶硅）。 电极接触 减小自身电阻； 减小与硅的接触电阻。 由于采用薄硅片 碎片产生的原因、相应的解决方法； 减少光生少子在背面的复合速度； 增加长波长光的背反射； Guo Lihui 晶体硅太阳电池 单晶硅（mono-crystalline Si） 多晶硅（multi-crystalline Si） Guo Lihui 获得高效率Si太阳电池的原则 需采用长少子寿命（lifetime 达到ms）的高品质硅衬底； 良好的正、背面表面钝化（surface-passivation），使表面具有低的复合（recombination）速度（小于102m/s）； 良好的表面“陷光”（light-trapping）结构，使正表面具有低的入射光反射率； 合适的发射区（emitter）设计，以获得全部的光生载流子； 良好的正、负电极欧姆接触，以获得低的串联电阻。 Guo Lihui 少子寿命 在电阻率相同的情况下，n-type 硅具有比p-type 硅更长的少子寿命； 但具有相同少子寿命时，p-type 硅比n-type 硅具有更长的扩散长度； 对超薄、高效、高稳定硅太阳电池，n-type 硅更具有优势； N-type问题：拉单晶掺杂均匀性、扩散工艺、金属电极。 Guo Lihui 良好的表面钝化方法 氯基氧化（Chlorine based, TCA），或干氧氧化； 氧化后辅施以退火处理； PECVD SiNx钝化； 非晶硅a-Si:H钝化。 Guo Lihui 欧姆接触 具有线性的和对称的电流-电压关系； 不引入明显的附加阻抗。 Wm Ws Ef, m Ef, s E0 Ef, m Ef, s Wm Ws E0 Guo Lihui 三种超高效单晶硅太阳电池 Guo Lihui LGBC 太阳电池 LGBC 太阳电池全称是激光刻槽埋栅电池（laser grooved buried contact）。最初源于澳大利亚新南威尔士大学马丁格林实验室的原理性研发，BP Solar太阳能公