《电子系统设计与工程实践1》第五章.ppt

电子系统设计与工程实践1;目录;5.1 功率放大器的分类及技术参数;1、甲类功率放大器; 图5.2中Tr1为输入变压器，Tr2为输出变压器，它们起到“隔直流通交流及阻抗变换”的作用。 Rb1、Rb2和Re组成分压式电流反馈偏置电路电容Cb和Ce为信号提供通路，减小信号在Rb2和Re上的损失。静态工作电路表达式如下： (5.1) 　　 为了充分利用功率管，放置大信号工作时集电极电流在负半周期截止，单管功率放大器都工作在甲类状态，一般静态工作电流ICQ取得较大，损耗在集电极上的功率为 　　 (5.2) 　　　;2、乙类功率放大器;　　 图5.4中VT1和VT2分别是NPN和PNP管，两管的基极和发射极分别连在一起，信号从基极输入，发射极输出，RL为输出电阻。 设三极管为理想器件：输入信号正半期，VT1导通VT2截至，电流流过负载，产生输出信号的正半期；负半期，VT1截止VT2导通，电流流过负载，产生输出信号的负半期。 实现静态不消耗电流，有信号时两管轮流导通，组成推挽式电路。;3、甲乙类放大器;5.1.2 功率放大器的技术参数;5.2 常见功率放大电路及特点　　;三种工作状态;5.2.2 无输出变压器耦合功率放大电路;电路输出电压跟随输入电压特性：;　 　图5.9是一种+12V单电源供电的互补对称功率放大电路。 由晶体管VT1组成前置放大级，VT2、VT3是一对参数对称的NPN和PNP型晶体三极管，它们组成互补推挽OTL功率放大器。由于每个管子都接成射极输出器形式，因此，具有输出电阻低、负载能力强等优点，适合作为功率输出级。;工作状态;主要参数指标：;5.2.3 无电容耦合功率放大电路;乙类OCL功率放大电路的主要参数计算公式;　　 为消除交越失真，要使晶体管工作在微导通状态，需要增加偏置电路，使晶体管的静态工作点设置在稍微大于开启电压处，于是在一个周期内晶体管的导通角略大约180度，即工作在甲乙类工作状态。图5.11给出了两种不同偏置方式的。;　　 图5.12是由运算放大器U1组成驱动级，晶体管VT1~VT4组成复合式互补对称电路。其中，三极管VT1、VT2为相同类型的NPN管，所组成的复合管仍为NPN型。VT3、VT4为不同类型的晶体管，所组成的复合管的导电极性由第一只管决定，即为PNP型。R4、R5、RP2及二极管VD1 、VD2所组成的支路是两对复合管的基极偏置电路。;5.2.4 桥式推挽功率放大电路;5.3 丁类（D类）功率放大电路;保真度低的原因;D类功率放大器的输出级;5.3.2 D类功率放大器的设计;5.4 集成功率放大器;　　　 如图5.23，其反相输入端接地，芯片输出端5引脚的静态电压为VCC/2，静态功率为24mW。电位器Rp和电容C1串联支路用于调节放大器的电压放大倍数，放大倍数的计算公式为：　 　 (5.19) R1和C2组成补偿网络，使电感性扬声器负载变换成电阻性，以提高电路的稳定性，消除高频自激。 　　 ;5.4.2 中等功率集成功率放大器;LM1875/1876在设计功率放大电路时应注意以下3方面：;　　　 中、大功率集成功率放大器使用时，两个芯片必须安装足够尺寸的散热器，散热器面积不够大时，芯片的输出功率就达不到参数给定的输出功率。以LM1875为例，在理想乙类工作方式时，功耗近似为： （5.20） 　　　如果最高结温保持在低于150℃（超过170℃芯片会过热关断），最高环境温度在70℃，则结到环境的热阻必须低于： 　　　　　　　　　　 （5.21）;5.4.3 大功率集成功率放大器;　　　图5.27（a）、（b）所示分别为LM4780双通道应用和桥式应用的典型电路。通过选择反馈电阻Rf和反相输入端电阻R1来决定放大器的闭环电压增益，一般电压增益取10~20。静音控制端Mute A、Mute B接地或断开时启动静音功能；经过电阻RM接-VEE时关闭静音功能。RM的取值为： 　　　 （5.22) 　　 使用该芯片设计功率放大器时，关键问题是散热，该芯片的最高承受温度为150℃，热阻RjA=30 ℃/W，RjC=0.8℃/W，最大功耗125W。电路设计