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绝密机密秘密一般文件发行修订履历
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文件名称： 文件编号：
文件属性： 技术标准 版次/ 修订状态： A / 0 页 次： 0 / 6
制作单位： 深圳比亚迪微电子有限公司（比亚迪IT产业群第六事业部）
适用范围：
提案发行人：
文件状态： 正 本
发 行： 第六事业部文控中心
受控状态： 非受控 受控 受控号：
密级设定： 绝密 机密 秘密 █ 一般
文件发行/修订履历
文件发行/修订
版 次 日 期 内 容 提 案 审 核 批 准
废止通知单编号
A / 0 初版发行
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Copyright © BYD Company Limited
BG200B12LY
IGBT Power Module
BYD Microelectronics Co., Ltd.
VCE = 1200V IC = 200A
General Description Features
BYD IGBT Power Module BG200B12LY provides ultra low Half-bridge
conduction loss as well as high short circuit capability, which Low inductance
introduce the advanced IGBT chip/FWD and improved Standard package
connection, it is able to take on a perfect performance in High short circuit capability
various applications under 25KHz. Ultra low conduction and switching loss
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