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2)O3-PbTiO3高居里温度压电陶瓷介电压电性能研究
年第 期( )卷
05116 2016 5 47
文章编号: ( )
1001G9731201605G05116G05
( / / ) 高居里温度
BiScOGBiZn Ti OGPbTiO
3 12 12 3 3
压电陶瓷介电压电性能研究∗
1 2
,
张 强 李振荣
( , ; , )
西安建筑科技大学 功能材料研究所 西安 西安交通大学 国际电介质中心 西安
1. 710055 2. 710049
: ( ) ( ( ) ) ( ) .
摘 要 采用传统陶瓷工艺制备 / / 陶瓷试样 研究
1-xBiSc Zn Ti OGxPbTiO BSG0.1BZTGxPT
0.9 12 12 0.1 3 3
( ) , 、 .
了 含量为 摩尔分数 时 不同 含量 压电陶瓷结构 介电和压电性能的变化规律
BZT 0.1% PT BSG0.1BZTGxPT
, , ; ,
研究表明 随着 含量增加 试样从三方相向四方相转变 当 含量为 之间时 试样处在三方到四
PT PT 0.60~0.62
. , ( / , ). ,
方的过渡区 当 量为 时 试样压电性能达到最大值 当 量增加 试样居里
PT 0.6 d =250 CNk=43% PT
33 p p
2
, . , , / ,
温度呈上升趋势 值先增加后减小 当 含量为 时 试样铁电性能达到最大值
ε PT 0.60 P=34.4 Ccm E=
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