3-巯基-1-丙烷磺酸钠复配添加剂对铜电沉积的作用及机理.pdfVIP

材 钎 偶 i 移 3．巯基-1．丙烷磺酸钠复配添加剂 对铜电沉积的作用及机理 辜 敏 ，钟 琴 (1．重庆大学资源及环境科学学院 复杂煤气层瓦斯抽采国家地方联合工程实验室，重庆 400044； 2．重庆长安铃木汽车有限公司，重庆 401321) [摘 要] 3一巯基-1一丙烷磺酸钠(MPS)、聚乙二醇(PEG)、C1一(MPS．PEG．C1)添加剂组合硫酸盐镀液常用于超 大集成 电路铜的超等角填充。采用极化 曲线和电化学交流阻抗谱(EIS)研究了酸性硫酸铜镀液中MPS与PEG和 cl一于一定浓度组合下对cu电沉积的影响。极化曲线和EIS结果一致表明，MPS与PEG和Cl一之间都存在协同作 用，MPS．PEG阻化而MPS—Cl和MPS．PEG—C1促进 Cu的电沉积 ；低 电位下，MPS和Cl一，Cu ／Cu“形成的中间产物 吸附于电极表面；MPS阻化cu的电沉积，但与cl一一起有协同作用，在超等角填充中起促进作用，大于阻化作用， 这种促进作用源于 MPS和 Cl一的配位反应。 [关键词] MPS；PEG；C1一；铜填充；电沉积 [中图分类号]TQ153．1 [文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2011)04—0011—04 0 前 言 等角填充影响的研究非常少。基于此，本工作进行了 深入的研究，采用线性扫描 (LSV)得到了极化曲线和 芯片上微刻槽中Cu电沉积超等角填充后没有裂 电化学交流阻抗谱 (EIS)，研究了MPS与 PEG或 Cl一 缝或空洞是实现超大集成电路中铜互连最为关键的技 的组合对 Cu电沉积的影响，探讨了MPS在 Cu超等角 术，而实现cu电沉积超等角填充，依靠的是铜镀液中 填充中的作用机理。 添加剂的作用…。目前，铜超等角填充大多采用硫酸 盐体系，并加人多种添加剂，如cl一，MPS(3．巯基一1-丙 1 试 验 烷磺酸钠)，PEG(聚乙二醇)，JGB(烟鲁绿)。常用的 组合添加剂有MPS—PEG．C1，MPS．PEG—JGB．C1。电镀 1．1 镀液组成及工艺条件 液中存在PEG或PEG和C1一(PEG—C1)时，会阻化铜的 电镀液体系：0．05mol／LCuSO4，0．5mol／LH2SO4 电沉积l2]，MPS单独作用时，其吸附层对铜的电沉积起 基础溶液中加入 MPS及其与PEG或 Cl一的组合。Cl一 阻化作用 j，其机理在于MPS还原Cu 形成吸附 以NaC1的形式加人，试验于室温下进行，溶液处于静 态的中间产物Cu(I)-硫配合物 Cu(I)(thiolate)或是 止状态，用分析纯试剂和3次蒸馏水配制。 MPS置换了吸附于电极表面起阻化作用的PEG—Cu． 1．2 检测分析 Cl大分子 ，形成 Cu(I)(thiolate)ad0MPS和Cl一的协 极化曲线由CHI660电化学工作站 (上海辰华仪器 同作用对铜的电沉积表现为强烈的促进作用_4．5j，因为 公司)测得 (扫描速度 10mV／s)，设定阴极电流为负， MPS通过 cl一与cu形成配合物，催化Cu的电沉积反 电位从开路 电位 向阴极方 向扫描，扫描到 一1．15V。 应 【。过去，考虑MPS与不同添加剂组合作用对铜超