Al2O3基陶瓷及玻璃基底制备Ta—N薄膜微结构与电学特性的比较研究.pdfVIP

AlO。基陶瓷及玻璃基底制备Ta—N薄膜微结构与电学特性的比较研究／马扬昭等 ·23 · Al2O3基陶瓷及玻璃基底制备 Ta—N薄膜微结构与 电学特性的比较研究 马扬昭，谢 中，周艳明，夏丰金 ，冯双磊 ，李 科 (湖南大学物理与微电子科学学院，长沙 410082) 摘要 在 N 、Ar气氛中，采用反应直流磁控溅射法在Alz()s基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜，并对各 样品的形貌结构、化学纽分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明，沉积于A1z()3陶瓷及玻璃基底的Ta—N薄 膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长；Alz0。陶瓷基底沉积的Ta_N为单相薄膜，而玻璃基底上的Ta—N薄膜， 随N 、Ar流量比增加，呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关， 这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N2、Ar流量比相同时，玻璃基底上沉积的T N薄膜电性能优于A1203 基陶瓷基底上沉积的 ，ra—N薄膜。 关键词 Al203基陶瓷基底 玻璃基底 Ta-N薄膜 反应磁控溅射 氮分压 电阻温度系数 中图分类号：TB43；0484．4；TM544 文献标识码：A ComparisonofM icrostructureandElectricalPropertiesofTa-N Films DepositedonAI203一basedCeramicandGlassSubstrates MAYangzhao，XIEZhong，ZHOU Yanming，XIAFengjin，FENGShuanglei，LIKe (SchoolofPhysics MicroelectronicsScience，HunanUniversity，Changsha410082) Abstract Ta_N thinfilmsweredepositedonAI203一basedceramicandglasssubstratesbyIX；magnetronreac— tivesputteringin‘N2／ArambientwithdifferentN2flow rates．Themorphology，microstructure，chemicalcomponent andeleetrica1propertieswerestudied．TheresultshowsthattheTa_N thin filmsdepositedonA12Oa—basedceramic substratesgrow withclusterscomposedofnumerousnanocrystallites，whilethefilmsdepositedontheglasssubstrates grow inthewayofsandwichclose-stack．Moreover，itcanbefoundthattheTa_N filmsdepositedonAI2Oa—basedce— ramiesubstratesarealwayscomposedofsingle-phaseastheincreaseofN2partialpressure．ThedepositedTa_N films ontheglasssubstratesformedwith single-phaseofT N grainsaretransformed into thefilmscomposedofmulti— phasewiththeincreaseoftheN2／Arflow ratio．Thesurfacemorphologyandmicrostructureoffilmsisrelatedwith theinitialsurfacemorphologyandmicrostructureofthesubstrates．Thesubstratesplayanimportantroleinthefor— mationoffilm andtheelectricalpropertiesofTa