c轴取向的M-型SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能.pdfVIP

助 曹才 斟 2011年第8期(42)卷 C轴取向的M一型 SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能 訾振发 ，吕建国 ，刘红艳 ，方 林 ，刘强春 ，朱雪斌。，戴建明 (1．合肥师范学院物理与电子工程系，安徽 合肥 230601；2．淮北师范大学 物理与电子信息学院，安徽 淮北 235000； 3．中科院固体物理研究所 材料物理重点实验室 ，安徽 合肥 230031) 摘 要 ： 采用化学溶液沉积法在 Al0。(001)单晶衬 (PLA)口 。但是，这些方法因为需要高真空和高的沉 底上制备 SIFC0铁氧体薄膜，XRD谱表 明样品具有C 积温度都不能用于大批量生产，不利于国家提倡的节 轴取 向的单相结构 ，空间群为 P6。／mmc；AFM 结果表 能减排和低碳要求 。基于以上考虑 ，本文采用化学溶 明样品颗粒呈柱状 ，平均颗粒尺 寸在 50～100nm 之 液沉 积 法 (chemicalsolution deposition：CSD)在 间。SLFCO铁氧体薄膜具有高的室温饱和磁化强度 A1O。(001)单晶衬底制备 了SLCFO铁氧体薄膜 ，并 (13OA／m)，矫 顽 力 (549．24kA／m)和 大 的矩 形 比 对其微结构和磁性质进行 了分析讨论。CSD法制备 (O．9)，这些性能表 明SLFC0铁氧体薄膜是一种非常 薄膜的优势在于不仅可以用于大批量生产，而且低的 有潜在应用价值的高密度磁记录材料。 热处理温度更有利于合成满足高密度磁记录介质材料 关键词 ： SLFCO铁氧体薄膜 ；化学溶液沉积法；磁各 的要求 。 向异性 中图分类号 ： TQ138．1：TM277 文献标识码 ：A 2 实 验 文章编号：1001—9731(2011)08-1418—03 2．1 SLCFO薄膜的制备工艺 1 引 言 2．1．1 配制前驱胶体 把一定计量 比的乙酸锶 [Sr(CH。COO) ·1／2 近年来，M一型铁氧体因其在空气 中很强的抗腐蚀 H2()，99 ，AlfaAesar]，乙酸镧 [La(CH3COO)3· 能力和优 良的化学稳定性 ，足够 的硬度和优异 的性价 5H2O，99 ，AlfaAesar~，乙酸钴[Co(CH3cOO)2· 比而备受关注LJ_5]。与现今用作硬盘记录介质的Co基 4H2O，99％，AlfaAesar]和柠檬酸铁 [FeC6H507· 合金薄膜相比，M一型铁氧体薄膜表现出强 的抗腐蚀能 5H O，99．5 ，AlfaAesar~分别溶解在去离子水和单 力，以至于作为磁记录介质时，不用任何保护涂层。高 甲基二乙醚的混合溶液里，搅拌至完全溶解 ，其中柠檬 的磁晶各向异性和矫顽力 ，这些性能也使其在高密度 酸铁的溶解需要加热到 70℃。先各 自加入柠檬酸 (柠 磁记录方面具有非常广阔的潜在应用价值[6]。高密度 檬酸和金属离子的比例为 2：1)搅拌至完全溶解 ，再 记录介质材料要求薄膜具有高的矫顽力来记录窄位信 把溶液混合在一起搅拌至完全溶解；最后加入分子量 息和高剩磁完成高信噪 比L7]。尽管很多课题组 已经报 为 20000的聚乙二醇作为表面活性剂 ，防止胶体颗粒 道了对M一型铁氧体 SrFeO。(SrM)