C/C复合材料上SiC/MoSi2-Si2N2O-CrSi2涂层的制备、抗氧化性能及形成机理.pdfVIP

C/C复合材料上SiC/MoSi2-Si2N2O-CrSi2涂层的制备、抗氧化性能及形成机理.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
C/C复合材料上SiC/MoSi2-Si2N2O-CrSi2涂层的制备、抗氧化性能及形成机理

抖 封一 秒 l · 盼 C/C复合材料上SiC/MoSi2-Si2N2O-CrSi2 涂层的制备、抗氧化性能及形成机理 殷 玲。熊 翔,曾 毅,郭 顺,张武装 (中南大学 粉末冶金国家重点试验室,湖南 长沙 410083) [摘 要] 为进一步提高C/C复合材料的抗高温氧化性能,采用包埋法和刷涂法在C/C复合材料上制备了SiC/ MoSi2一Si2N:O-CrSi2抗高温氧化涂层,借助XRD及SEM对涂层的组织结构及形貌进行 了表征,初步研究了涂层在 1500℃静态空气中的氧化性能及其形成机理。结果显示:SiC/MoSi2.Si2N2O.CrSi2涂层最外层主要 由SiNO,少 量CrSi2,SiC,MoSi2相组成,该涂层在 1500℃下氧化26h失重率仅为 1.94%,其抗氧化性能优于无 siNO的 MoSi2-SiC-CrSi2涂层。 [关键词] C/C复合材料;抗氧化涂层;SiC涂层;SiN2O;组织结构;形貌;形成机理 [中图分类号]TG174.44 [文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2011)12—0023—04 0 前 言 SiO:具有更低氧扩散率、膜层 网状结构更致密的 si:N:O。采用熔浆法在 C/C复合材料表面制备了 C/C复合材料具有低密度、高 比强度、高热稳定 si,N一MoSi:/Si—SiC多层抗氧化涂层,其高温氧化性能 性、低热膨胀系数及高温下强度随温度升高而上升等 显著改善 ¨,l。在基材表面制备的si:NO涂层大大 优异性能,是一种理想的航空、航天高温材料 ¨,2]。但 是,C/C复合材料在高于450oC的氧化气氛下迅速氧 提高了SiN陶瓷材料的抗氧化性能¨。本工作采用 化,将导致其孔隙增加、结构弱化,强度及其他力学性 刷涂法在带有包埋SiC涂层的C/C复合材料上制备了 能衰减 。近年来,对抗高温氧化涂层的研究主要集 MoSi:-SiNO-CrSi涂层,主要研究涂层的形成机理及 中在 SiC,Si3N,MoSi2等硅基陶瓷或金属基上。SiC[线 在 1500℃下的抗氧化性能。 膨胀系数为(4.4—4.8)×10I6]陶瓷由于与 C/C复合 1 试 验 材料具有 良好的物理化学相容性而被广泛用作复合涂 层过渡层 ,MoSi具有 1800℃氧化环境下的高温稳 1.1 涂层的制备 定性而被广泛应用作抗氧化涂层。MoSi,.SiC可在 以密度为 1.72g/cm。的C/C复合材料为基材,尺 1500oC长时间抗氧化 。但抗氧化性能较好的涂 寸为20mm×20mm×5mm,用400号水砂纸磨去尖角 层均采用多层复合涂层体系,制备方法较复杂,成本较 和棱边,用800号砂纸打磨抛光,无水乙醇清洗烘干后 高;且该类涂层与基体热膨胀系数相差较大,经多次热 备用。 震后会产生裂纹,导致材料失效。Si,N及SiNO具有 将C/C复合材料置于包埋粉料中,其组成:83%硅 更接近 C/C材料的热膨胀系数,可考虑用作过渡层。 粉,5%~15%碳粉,2%一10%氧化铝粉,于 1800℃真 在 1100—1500℃下,Si3N4的氧化速度比SiC小2~3 空下保温2h制备SiC内涂层。在SiC涂层上用刷涂 个数量级 ’J,主要是因为 SiN在氧化时生成了比 法制备MoSi:-Si-Cr预涂层[料浆配比为45%MoSi:粉, 5%cr粉,5%一15%C粉,25%~45%si粉及2%一6% [收稿13期] 2Oll一08—19

文档评论(0)

18273502 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档