C／SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟.pdfVIP

· 148 · 材料导报 B：研究篇 2012年 l1月(下)第26卷第 11期 C／SiC陶瓷基复合材料界面力学性能的离散元模拟 李林涛，谭援强，姜胜强 (湘潭大学机械工程学院，湘潭 411105) 摘要 采用离散元法(DEM)，用BPM(Bonded-particlemode1)模型分别建立并校准 siC陶瓷基体和碳纤维离 散元模型，采用位移软化接触模型表征层间和纤维 ／基体之间的界面元损伤双线性本构关系。通过 DCB试验 (Doub— lecantileverbeamvirtua1test)和微滴脱黏试验分别对其界面强度进行收敛试验，动态地观察 了塑性变形、裂纹扩展 及界面脱黏过程。结果表明，位移软化接触模型可以很好地表征界面损伤过程，采用离散元法可以很好地动态模拟 较复杂复合材料 的损坏过程。 关键词 C／SiC复合材料 界面性能 离散元法(DEM) 位移软化接触模型 模拟 中图分类号：TB332 文献标识码：A StudyonInterfacesPropertiesofC／SiCCeramicMatrixComposites UsingDiscreteElementM ethod LILintao，TAN Yuanqiang，JIANGShengqiang (SchoolofMechanicalEngineering，XiangtanUniversity，Xiangtan411105) Abstract W iththeaidofBPM (Bonded-particlemode1)，thediscreteelementmodelsofSiC ceramicsmatrix andcarbonfiberweresetupandcalibrated separatelybythediscreteelementmethod(DEM)．Thebilinearcohesive law ofinterfaceelementdamageininterlayerandonmatrix／fiberinterfacewascharacterizedusingdisplacement-sof— teningcontactmodels，andthencalibratedbyDCB test(Doublecantileverbeam virtua1test)andmicrobondtest，re— spectively．Plasticdeformation，crac-king growth situation and dynamicprocessesofinterfacedebondingwereob— servedinthesesimulationtests．Theresultsshow thatthedisplacement-softeningcontactmodelcouldcharacterizein— terfacialdamageprocessnicely，anddiscreteelementmethodcouldsimulatedynamicdamageprocessformorecomplex compositematerialsadmirably． Keywords c／siccomposites，interfacialproperties，discreteelementmethod(DEM)，displacementsoftening contactmode1．simulation (DEM)，块体材料是 由接触键和平行键相连接的颗粒集合 0 引言 来模拟其属性 ，只要外界载荷超过颗粒 间键 的强度或断裂 C／SiC陶瓷基复合材料具有耐高温、抗腐蚀、高强度、高