分子纳米层作为铜扩散阻挡层的研究进展（一）：分子纳米层.pdfVIP

6卿 S. t/) 2016年 第 8 期（47)卷 文章编 ：1001—9731 (2016)08-08068-06 分子纳米层作为铜扩散阻挡层的研究进展（一）：分子纳米层4 王亚斌U2,刘 忠 1 ，李 武 \ 董 亚 萍 \ 黄 玉 东2 (1.中国科学院脅海盐湖研究所，西宁810008; 2.哈尔滨I ：业大学化I ：学院，哈尔滨150000) 摘 要 ： 无机材料形成的纳米层可以作为铜扩散阻挡层，已经被广泛地研究，如钽和氮化钽。但是在低于 3 纳 米厚度，尤其在具有较高的深宽比的器件中，此类材料纳米层不够均匀致密，不能作为理想的扩散阻挡层。由短 的有机链和功能性端基组成的有机分子纳米层被用来改善表面性能，如润滑，纳米光刻和腐蚀防护。本文介绍了 有机分子纳米层作为铜扩散阻挡层的要求；综述了作为铜扩散阻挡层的有机分子纳米层的类型和作用机理；分析 了每类分子纳米层的优势和不足；展望了分子纳米层今后的研究方向^ 此外，介绍了国内对分子纳米层作为铜扩 散阻挡层的研究进展Q 关键词： 分子纳米层；扩散阻挡层；粘接层；铜固定化 中图分类号： T B 34;T B 31;T Q 33 文献标识码：A D O I : 10.3969/j .issn .l 001-9731.2016.08.011 势和潜力[8]。 〇 引 言 1 有机分子纳米层作为铜扩散阻挡层的要求 :在=集成电路互连技术的铜_艺中，.由于铜在硅墓： 底或低介电常数介质中（k )具有很高的扩散系数，因此 构成有机分子纳米层的单体结构通常由两部分构 需要在基底刻蚀出的沟槽中制备扩散阻挡层薄膜。此 成 ，短:的有机键和特定功能的端基富_能M 。在、最初提 层薄膜用来防止铜扩散到层间介质中，避免由此导致 出的策略中，该纳米层能够成为铜扩散阻挡层需满足 的漏电流增大以及进一步的器件失效。 两个基本条件j :(i ) 具有强的界面粘接能力，能够固 传统的扩散阻挡层为T a /T a N 双层结构[1]，该结 定铜的同时防止其向基底扩散；（2 ) 在铜和介电层之 构阻挡层有以下优点：钽为过渡金属，熔点非常高；钽 间形成具有真空状的电位屏障，防止铜的离于化和转 与铜的热力学稳足性好•不会温发生互溶； 坫 移。随着研究的深入，对分子纳米层作为铜扩散阻挡 底硅生成的化合物主要是T a S i 2,且形成温度大约为 层提出了更加具体和科学化的要求，主要改进在两个 650 °C M 。但^£随着集成电路的迅速发展，互连尺寸 方面^ | 。第一，扩散卩丨m 性能。通过对分子纳米层顶 随之减小，传统的T a /T a N 阻挡层遇到7*—些技术难 端（与铜层接触的界面）的宫能团化，使得其与铜具有 题。在较大深宽比的沟槽中，T a 扩散阻挡层覆盖性降 强的化学作用，较理想的固定铜，防止扩散。第二，粘 低，导致镀铜层未能完全填充沟槽，出现孔洞，进而引 接性能。分子纳米层能与基底硅等材料形成化学键， 起导线电阻大，甚至断路。为了解决这些问题，许多过 较牢固地固定在基底，使得纳米薄膜不易脱落。 渡金属被研究作为替代材料，比如 P cP ]、 、Ru | 、 2 有机分子纳米层分类 C 〇m 、M 〇« 等。但是这些金属通常稀有，价格高昂，不 适合应用在实际大规模集成电路制造工艺中。此外， I目前研究并应用于铜扩散阻挡的有机分子纳米层 根据国际半导体技术发展路线，2015年对第一层金属 包括t 有机硅烷自组装纳米薄膜[1°11;]、聚合电