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双靶共溅射制备Cd1-xZnxTe多晶薄膜的性质研究
汪雪梅 等 :双靶共溅射制备 Cd…ZnTe多晶薄膜 的性质研究
文章编号:1001~9731(2014)08-08139—04
双靶共溅射制备 Cd一zZnzTe多晶薄膜的性质研究
汪雪梅 ,王文武,武莉莉 ,张立祥,冯 良桓,张静全,李 卫
(四川大学 材料科学与工程学院,成都 610064)
摘 要 : 采用双靶共溅射法 ,分别在不 同衬底温度、 的禁带宽度范围内。因而它无论在两结还是三结叠层
沉积压强和溅射功率下制备 了Cd…ZnTe多晶薄膜 太阳能电池中均可作为顶电池 吸收层材料 ,因此在叠
样 品,并采用 X射线衍射仪 、X射 线荧光光谱仪 、扫描 层电池中具有重要 的应用价值 。
电子显微镜等方法对制备 的Cd…ZnTe薄膜 的结 制备 Cd…ZnTe多 晶薄膜 的方法很 多 ,如近空
构、成分、形貌和光 电学性质进行测试分析。结果表 间升华_5]、磁控溅射 ]、近空间气相输运 ]、真空蒸
明,300℃衬底温度下制备的 Cd一ZnTe薄膜成分单 发_8和扩散_s等。近空间升华较难控制组分 ,真空蒸
一 , 立方相结构 ,生长致密,表面颗粒平均大小约 5O 发的沉积粒子能量较低 ,制备的多晶薄膜 晶粒较小 ,致
nm,Cd…ZnTe薄膜在 (111)晶面的 2 值及 晶格常 密性也不理想。磁控溅射 的沉积粒子能量较高,所得
数与Zn组分呈线性关系。Cd一ZnTe薄膜的禁带宽 膜层致密性好 ,与基 片附着牢固,但采用磁控溅射法制
度与组分-z值呈线性关系。随着气压从8Pa降低至 1 备 Cd…ZnTe薄膜主要有 :按一定 比例混合 高纯
Pa,Cd一ZnTe薄膜的晶粒尺寸增加 ,生长更加致密。 CdTe和 ZnTe粉末热压制成靶材 ,再磁控溅射制备
Cd一ZnTe薄膜的室温 电导率约为 8.61×10 (Q Cd一ZnTe薄膜 ;或采用 固相反应 ,制备不 同组分 的
·cm)_。,呈弱 P型 。 Cd一ZnTe靶材 ,再用磁控溅射法制备 Cd…ZnTe
关键词 : Cd一ZnTe薄膜;磁控溅射 ;叠层电池
薄膜 。以上两种方法都不能很方便地控制所制备
中图分类号 : TN304.2 6 文献标识码 :A
薄膜的组分 ,所以本文采用 CdTe靶和 ZnTe靶双靶共
DOI:10.3969/j.issn.1001—9731.2014.08.030
溅射的方法制备 Cd一ZnTe多晶薄膜L1 ],通过调
1 引 言 节两靶的溅射功率来调节 Zn的组分 。
太 阳光光谱的能量分布宽,任何一种半导体材料 2 实 验
制备的单结太阳能 电池都无法充分利用太阳光 ,而叠
采用 JGP450型超真空多功能磁控溅射设备系
层太阳能电池对太 阳光谱的利用率明显要高于单结太
统 ,利用磁控共溅射方法制备 Cd一ZnTe薄膜。靶
阳电池 。叠层太阳能电池的结构设计使得波长较短的
材采用 CdTe合金靶 (99.999 )和 ZnTe合金靶
光先到达宽带隙材料吸收,波长较长 的光能够透射进
(99.999 ),靶材直径为 60mm,靶和基 片 间距 10
去被窄禁带宽度材料吸收_1],这样就能更大范围地吸
cm,衬底为石英玻璃 ,衬底 自转速度为 2Or/min,溅射
收太阳光谱中的能量 ,从而提高太 阳能电池的转换效
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