在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究.pdfVIP

助 财 抖 2010年第4期(41)卷 在 RHEED实时监控下 GaAs晶体生长研究 罗子江 ，周 勋 。，杨再荣 ，贺业全 ，何 浩 ，邓朝勇 ，丁 召 (1．贵州大学 理学院，贵州 贵阳 550025；2．贵州财经学院 教育管理学院，贵州 贵阳 550004； 3．贵州师范大学 物理与电子科学学院，贵州 贵阳 550001) 摘 要 ： 采用分子束外延技术，利用 RHEED 图像 可 Knudsen式蒸发源炉。进行本实验之前 ，先对 As(Ga) 研 究GaAs表面重构方式和生长机制。报道 了一种新 压利用束流监视器 (beam fluxmonitor，BFM)进行校 型的分子束外延方法，在 RHEED 实时监控 下，利用 准 ，得到在不同温度时 的蒸气压。实验时，As源温度 GaAs(001)基片同质外延 GaAS。通过改变生长和退 为 345℃，此时最高As蒸气压为 1．2×1O Pa。当 火的时间与温度 (420、500、580C)，结合 RHEED 图像 As源炉的阀门以不同的程度开启时，As蒸气压力可 演变与GaAs表面平整度 (粗糙化)的联系，得到表面 随之变化。RHEED的加速 电压为 15keV。整个生长 原子级平整 的GaAs样 品。完成生长后对样 品做 EDS 以及退火过程中，MBE生长室真空保持在 4．2×10 分析 ，确定样品为高纯度 GaAs。利用这种方法，得到 Pa附近 (此时利用 BFM 测量到的 As压强为 7．5× 厚度约为 4m砷化镓 晶体 。 10一Pa)，保持在 As过压状态 ，以防止在较高温度时 关键词 ： MBE；RHEED图像 ；粗糙化；EDS；GaAs表 As的脱附从而形成 Ga的金属化 。实验 中，在样品实 面重构 际温度为600oC(热 电偶读数约为 51O℃)附近脱氧 以 中图分类号： TN3；O47 文献标识码：A 后 ，把衬底实际温度降到 420℃(热偶读数约为 320℃) 文章编号 ：1001-9731(2010)04—0704—05 附近，打开 Ga、Si挡板进行生长，Ga源温度为 920℃ (As和 Ga束流比为 100)，其生长速率约为 0．38~／m／ 1 引 言 h，Si源温度为 950℃(ND===7．45×10 ／cm。)。衬底在 GaAs由于具有远远高于 Si的载流子迁移率在半 表面没有Ga原子 的情况下[5]，As原子的吸附系数近 导体光电器件上有着广泛的用途。GaAs的制备有多 似于零 ；反之 ，吸附系数近似于 1，所以GaAs的生长速 种方法 ，很 多研 究小组利用金属有机化学气相淀积 率 由Ga的束流决定。样品经历了在420℃生长2．5h、 (metal organic chemical vapor deposition， 500℃(热偶读数约为 400℃)退火 1．5h、500℃生长 2h MOcVD)[13、脉冲激光沉积 (pulsedlaserdeposition， (Ga源温度升高到 950℃，As，Ga束流 比为 80，生长速 PLD)[23、水平布里奇曼 (horizontalBridgman，HB)【 率约为 1．0um／h)、500℃再退火 lh、580℃(热偶读数 以及分子束外延 (molecularbeam epitaxy，MBE)[们制 约为 490℃)生长 lh(Ga源温度升高到 950℃，As，Ga 备了GaAs晶体。 束流比为 8O，生长速率约为 1．0um／h)、580℃退火 2h、 采用分子束外延方法 ，在 RHEED的实时监控下， 降温到 450℃(热偶