基于激光加工和自组装技术硅基底超疏水表面的制备.pdfVIP

乡 能 材 料 2010年第9期(41)卷 基于激光加工和 自组装技术硅基底超疏水表面的制备 李 杰，张会 臣，连 峰，庞连云 (大连海事大学 机械工程系，辽宁 大连 116026) 摘 要： 利用激光在硅基底上加工具有规则点阵结 面 。 构的表面纹理，采用 自组装技术在此硅表面制备全氟 然而，目前对超疏水表面构建的研究中，将上述两 辛烷基三氯硅烷 自组装分子膜。采用扫描 电子显微镜 种方法结合在一起进行的研究还很少。本文采用将上 和表面形貌仪对硅试样表面进行形貌分析，采用接触 述两种方法结合的工艺制备硅基底超疏水表面，即采 角测量仪测量试样 的接触角。结果表 明，激光加 工后 用激光加工在硅表面构造规则 的微米一亚微米级表面 的硅试样表面纹理深度和表面粗糙度均随激光加工间 纹理结构 ，再利用 1H，1H，2H，2H-全氟辛烷基三氯硅 距的增加而逐渐变大，试样表面的去除量随光照时间 烷 (FOTS)自组装分子膜在其纹理结构表面成膜 ，以构 的增加而增大。通过激光加 工和沉积 自组装分子膜 ， 建硅基底疏水和超疏水表面。该研究可为硅基底材料 硅试样表面的水接触角显著增大，最大可达到 156。，且 表面超疏水性的获得提供技术支持 。 试样的水接触角随激光加工间距的减少而增大。试样 2 实 验 接触 角测量值与 Cassie模 型预测值相一致，当点阵直 径与加工间距 比0．510时，硅试样表面为超疏水表 2．1 实验材料 面 。 实验所使用基底材料为掺杂 Sb的N型单 晶硅片 关键词： 超疏水 ；硅 ；激光加工 ；自组装分子膜 ；接触 1-1-1，其 电阻率在 0．010～0．Ol5Q ·cm之 间，购 自北 角 京有色金属研究院；成膜分子为 1H，1H，2H，2H一全氟 中图分类号： 0357．5 文献标识码 ：A 辛烷基三氯硅烷 (F0TS)，其纯度为 95 ，购 自Fluka 文章编号 ：1001-9731(2010)09—1618-05 公司；溶剂为异辛烷，纯度为 99 。其余试剂：过氧化 氢 、丙酮、乙醇，均为分析纯 。 1 引 言 2．2 激光加工 硅是广泛应用在微 ／纳电子机械系统 中的半导体 将硅片切割成 0．8cm×0．8cm 的正方形 ，将其依 材料 ，以硅为基底材料 的超疏水表面可以有效地控制 次放入丙酮 、乙醇和纯水 中超声清洗 3min，去 除表面 其表面层的润湿性 、黏着力 、润滑性和磨损性能等，具 杂质 ，然后进行激光表面纹理加工。 有广泛的应用前景[1]。因此 ，近年来硅表面 的改性处 试样表面纹理加工采用武汉华工激光工程有限责 理越来越受到关注。 任公司生产的HGL—LSY50F激光加工设备 ，工作 电压 目前，构造超疏水表面的工艺主要有两种：一是在 为 220V，激光波长 1064nm，焦距 ，=160mm，设置调 固体基底表面上利用低表面能物质进行修饰 ，通过降 制频率 3．14kHz，输 出电流为 13．0A。激光加工 的最 低其表面能来实现超疏水。如在硅基底上制备 OTS 大功率为 50W，激光照射光斑直径为 20z／m。激光加 自组装分子膜可 以有效地改善其疏水性r2；Shiu等利 工的光照时间分别为 1和 2ms