多孔硅的表面吸附性能的研究.pdfVIP

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2017-08-10 发布于天津
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多孔硅的表面吸附性能的研究.pdf

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多孔硅的表面吸附性能的研究

3008 勤材计 2012年第2l期(43)卷表 3 9个硅原子簇同时吸附两个氧原子和两个氢原典型频率。波数在 3500cm一处为 O～H键的振动。子的重叠集居数变化另据文献报道l2 “]，制备多孑L硅过程中，多孔硅 Table3Theoverlappopulationchangesofthemodel 表面存在 SiH (z一1、2、3、4)自由基或分子碎片，多孔 of9Si—atom—clusterabsorbing 2atomsofO 硅表面被氢覆盖是发生爆炸极为重要的条件。通过计 and2atomsofH 算可得上述可能的活性物质的振动频率，如表 5所示。吸附状态键相互作用重叠集居数 58 Si卜Si7 O．1548 54 寓霉 Sil—Si8 O．1549 50 吸附前 Si3一Si5 0．1547 器46 a‘l ／ Si3一Si6 O．1549 焉42／ Sil—Si7 一 O．1541 (bI ：一量38 一 Si1-Si8 O．O116 卜．34 c《) (al新鲜制备的样品吸附后 b《乙醇浸泡5d Si3一Si5 — 0．2849 (Cl空气中自然存放5d 30 Si3一Si6 一 O．2346 O Wavenumbers／crn。’ 3．3 同时吸附氢、氧和硝酸根的分析图7 不同多孔硅粉样品的红外光谱曲线表 4为同时吸附氢、氧和硝酸根的结果，可以发现 Fig7FT—IR spectraofdifferentporoussilicon pow 吸附硅与本体硅的键强被大大地削弱，有的甚至形成 dersamples 了反键。这说明硝酸根吸