多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究.pdfVIP

助 材 料 2010年第12期(41)卷 多孑L硅在高温退火过程中结构变化的研究 蔡 红 ，沈鸿烈 ，黄海宾 ，唐正霞 ，鲁林峰 ，沈剑沧。 (1．南京航空航天大学 材料科学与技术学院，江苏 南京 210016； 2．南京大学 物理系固体微结构物理国家重点实验室，江苏 南京 210093) 摘 要 ： 采用 电化学腐蚀的方法制备 了不 同孔径的 价衬底带来 的杂质扩散 ，衬底与晶硅薄膜 的晶格不匹 多孔硅薄膜样品，并在 1050C高温下进行 了退火。采 配等缺点均不复存在 ，因而可获得高质量的晶硅薄膜。 用扫描 电镜和拉曼光谱对多孔硅退 火前后结构 的变化 在多孔硅层转移工艺 中，高温退火起到了很关键 进行 了观察 ，根据 晶体形核理论分析 了孔径 变化 的机 的作用。经过高温退火后 ，一方面，上层的／b4L层能否 理，并从热力学角度对其微观机 制进行 了讨论。实验 恢复准单晶状态 ，对外延硅薄膜的质量至关重要，而外 和理论分析的结果均表 明，多孔硅 的初始孔径存在 一 延硅薄膜的质量又直接影响到太 阳电池器件 的性能； 个临界值，初始孔径小于此临界值 时，孔在 高温退火中 另一方面，下层的大孔层能否发生孔的扩展 ，从而有利 有收缩的趋势；反之，初始孔径 大于此，临界值 时，孔有 于随后的剥离过程中与原始单晶硅衬底发生分离，决 变大的趋势 。 定着层转移工艺 的最终成败 。因此 ，研究 多孑L硅在高 关键词 ： 多子L硅 ；高温退火；拉曼谱 ；形核理论 温退火过程中的结构变化能够为设计合适的多孔层提 中图分类号 ： 0781；O522．1 文献标识码 ：A 供可靠的数据 ，这对于后续太 阳电池器件 的制备非常 文章编号：1∞1-9731(2010)12-2060—04 重要 。 1 引 言 多孔硅的初始孑L径和形状决定着多孔硅的特性 。 然而，人们的研究发现，多孑L硅的形状在随后的退火工 目前 ，在薄膜太阳电池的研发 中，多晶硅薄膜太阳 电池因同时具有迁移率高、成本低 、可大面积制备的优 艺中并不是 固定不变的。在本文 中，我们利用单槽 电 点 ，成为当前的研究热点。近年来 ，利用多孑L硅层转移 化学腐蚀方法制备 了多孑L硅样 品，研究 了多孔硅退火 技术 (1ayertransferprocesses)制备硅薄膜太阳电池的 过程前后的结构变化 ，并首次尝试用晶体生长中的形 报道 日益增多。日本 Sony公司用这种工艺在 4cm。面 核理论对多孔硅在高温退火过程 中结构变化的机理进 积上制备 的 12#m厚 的电池的转换效率为 12．5 [1j。 行了分析和研究 。 比利时的微 电子研究 中心 (IMEC)首次成功制备了 自 2 实 验 支撑 的多孔硅薄膜 ，在 5cm×5cm 面积上制备 的仅 1ffm厚的电池的转换效率为 2．6 j。德 国的 Stutt— 采用 P型 (100)单面抛光单晶硅片，电阻率为0．01 gart大学在这一技术领域走在 了世界 的前列，2006年 ～ 0．02Q ·CIIl，其厚度为 625ffm。首先用 RCA (radio 他们利用这种工艺 ，