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2017-08-10 发布于天津
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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究

· 14 · 材料导报 B：研究篇 2012年 4月(下)第26卷第 4期多晶硅太阳电池双层 SiN 镀膜工艺研究周艺，欧衍聪一，郭长春，肖斌，何文红，黄岳文，金井升 (1 长沙理工大学化学学院，长沙 410114；2 湖南神州光电能源有限公司技术研发部，长沙 410205) 摘要采用PECVD法，通过优化工艺参数，创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiN~．膜，并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明，对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiN~．镀膜X-艺，本工艺可有效延长多 t4~-q-寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率，其电性能明显提高，中短路电流提高了100mA，光电转换效率提高了1．34％。关键词多晶硅太阳电池 PECVD 双层SiN,膜中图分类号：TM914．4+1 文献标识码：A Research onDouble-layerSiN ThinFilm forPoly—crystallineSiliconSolarCells ZHOU Yi，OU Yancong ，GUO Changchun ，XIAO Bin ， HEWenhong ，HUANGYuewen ，JINJingsheng (1 CollegeofChemistry，ChangshaUniversityofScienceandTechnology，Changsha410114；2 HunanSunzone()ptoelectronics EnergyCo．，I．td，Changsha410205) Abstract Byplasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)，double-layerSi film wasdepositedon thesurfaceofpoly-crystallinesiliconcreativelyasaantireflectioncoatingofsiliconsolarcellsaftertechnologicalpa— rametersoptimized．ResearchesontheinfluenceofSiN film onlifetimeandreflectivityofpoly-crystallinesiliconwere carriedoutbyusingsentechellipsometer(SE400adv，German Sentech Instruments)and incident—photon-to-electron conversionefficiency(IPCE)tester(SolarCellScan100，BeijingZolix)．Theresultsshowthatthedouble-layerSi film canimprovethelifetimeandspectralabsorptionofpoly-crystallinesiliconbycomparisonwithsigl-elayerfilm used intraditionalpoly-crystallinesiliconproduction，andreducethereflectivityofthepoly-crystallinesiliconsurfaceeffec— tively．Besides，theresultsindicatethepoly-crystallinesiliconsolarcellsperform obviouselybetterintheaspectof photoelectricpropertieswhenproducedwithdouble-layerSiN film，whereshort-circuitcurrentincreased100mA，and thephotoelectricconversionefficiencyelevatedby1．34 ． Keywords