微量SiO2对PI／A12 03复合薄膜性能的影响.pdfVIP

锨 对 料 2014年第13期(45)卷 文章编号 ：1001—973l(2014)13-13122—04 微量 SiO2对 PI／A1203复合薄膜性能的影响 李园园 ，刘立柱 ，翁 凌 ，石 慧 ，金镇镐 ，王 诚 (1．哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院，哈尔滨 150040； 2．哈尔滨理工大学 工程电介质及其应用教育部重点实验室 ，哈尔滨 150080) 摘 要 ： 通过固定纳米氧化铝 (Al。O。)的含量，改变 高 ，但拉伸强度 、断裂伸长率和击穿场强有较大幅度的 纳米氧化硅 (SiO。)的含量 ，制备一系列纳米 SiO 含量 下降口 ]。为了制备综合性能优异的PI复合薄膜，近 不同的聚酰亚胺 (PI)／AlO。／siO。复合薄膜。采用扫 年来研究者们将 SiO 和 Al：o。同时掺杂到 PI基体 描电子显微镜 (SEM)和红外光谱 (FT—IR)对复合薄膜 中，得到的复合薄膜的热稳定性、力学性能等优于单一 的微观形貌和分子结构进行表征 ，结果表明纳米颗粒 组分掺杂的薄膜 |1 ]。但 大部分研究 中 Si0 的掺杂 在 PI基体 中均 匀分散 ，而且纳米颗粒的加入既不影响 比大于 Alo。，而 SiO 对复合薄膜的耐 电晕性能的改 PI的分子结构又对聚酰胺酸的热 亚胺化无影 响。同 善不如 AlO。。在保证复合薄膜高耐 电晕性能的同 时测试 了薄膜 的力学性 能、击 穿场 强和耐 电晕时间。 时 ，为了获得力、电综合性能优异的聚酰亚胺基复合薄 结果表明，当纳米 SiO。质量分数为 0．5％时，复合薄膜 膜 ，本文采用原位聚合法制备 了一系列纳米 Al。O。质 的击穿场 强和 耐 电晕时 间分别 为 2l1．15kV／ram、 量均为 PI基体质量的 16 ，纳米 SiO。质量分别为 PI 378min，均优于纳米 SiO 质量分数 分别为 0，0．1 ， 基体质量 的 0，0．1 ，0．3 ，0．5 和 0．7 的 PI／ 0．3 和0．7 的薄膜 ，并且其力学性能也较优异。 Al0。／Si0。复合薄膜，并讨论纳米 SiO。掺杂量对复 关键词 ： 聚酰亚胺 ；纳米 AlO。；纳米 SiO ；复合薄 合薄膜的力学性能、击穿场强 、耐电晕性能的影响。 膜；耐 电晕时间 2 实 验 中图分类号 ： TM215．3；TQ323．7 文献标识码 ：A DOI：10．3969／i．issn．1OO1-9731．2014．13．026 2．1 主要实验原料 均苯 四甲酸二酐 (PMDA)：工业，如皋市乐恒化工 l 引 言 有限公司；4，4’。二氨基二苯醚 (ODA)：工业 ，如皋市乐 聚酰亚胺 (PI)由于其具有 突出的耐热性能 、介电 恒化工有 限公司；N，N一二 甲基 乙酰胺 (DMAc)：分析 性能、力学性能、耐腐蚀性能，而且制品尺寸稳定性好 ， 纯 ，天津 巴斯夫试剂有限公司；a—Al0。粒径为30tim， 是 目前综合性能最好、耐热等级最高的一种综合性能 杭州万景新材料有限公司；SiO。粒径为 30Dm，山东 优异的工程材料 ，在电机的槽绝缘 、电线电缆的包覆材 正元纳米材料工程有限公司。 料 、电子电气 以及航空航天等领域发挥着非常重要的 2．2 PI／A1。0。／SiO2复合薄膜的制备 作用。但聚酰亚胺本身作为有机物来说，耐电晕时间 本文采用原位 聚合法制备 PAA／Al。0。／si0 胶 不长，限制了其在高压 电动机、高压发电机 、脉宽调制 液 ，根据 复合 比例准确称量纳米 Al。O。和纳米 SiO ， 系统的变频电机等工业上的应用口J。