晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展.pdfVIP

晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展 ／任先培等 ·15 · 晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展 任先培 ，程浩然 ，何发林 ，陈 朝 (1 厦门大学能源研究院，厦门361005；2 厦门大学物理与机电工程学院，厦门 361O05) 摘要 晶体硅太阳电池一直 占据光伏市场的主导地位 ，关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评 述 了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展，介绍了硼氧缺陷、铁硼对 以及铜相关的缺陷导致光衰减 的基本机制，着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系。最后介绍了减弱或 避免光 衰减 的一 些措施 。 关键词 光衰减 晶体硅太阳电池 硼氧缺陷 铁硼对 铜相关缺陷 New ResearchProgressinLightInducedDegradationofCrystallineSiliconSolarCell REN Xianpei，CHENG Haoran ，HE Falin。，CHEN Chao (1 SchoolofEnergyResearch，XiamenUniversity，Xiamen361005；2 SchoolofPhysicsandM echanical ElectricalEngineering，XiamenUniversity，Xiamen361005) Abstract ThePV markethasbeenalwaysdominatedbycrystallinesiliconsolarcell，SOmanyattentionshave beenpaidtotheresearchoflightinduceddegradationofcrystallinesiliconsolarcel1．Theworldwideresearchprogress oflightinduceddegradationisreviewedandthemechanismsoflightinduceddegradationbyB()2icomplexes．FeBpairs andCu—relateddefectsareintroduced．TherelationshipbetweentheBO2．defectgenerationrate，deactivationrateand correspondingactivationenergyand boronconcentration，oxygen concentration isintroduced indetails．Finallythe technicalsolutionsforreducingoreliminatinglightinduceddegradationareproposed． Keywords lightinduceddegradation，crystallinesiliconsolarcell，BO2idefect，FeB pair，Cu-relateddefect 同时研究还发现限制冶金法制备的太阳能级硅片高少子寿 0 引言 命区的主要 因素是对光敏感 的复合中心，如 FeB对、BO．缺 自1973年 Fischer和Pschunder发现掺硼 Cz-Si太阳电 陷和Cu相关 的缺陷_l7；特别强调的是除了BO，之外 ，光照时 池的光衰减现象(Lightinduceddegradation，LID)以来[1]，光 FeB对和Cu相关 的缺陷也能导致少子寿命和电池性能的衰 衰减现象就受到了广泛的关注。长期以来人们对光衰减的 减ES-la]。 研究主要集中在西门子法提纯的高纯掺硼硅材料和电池 ，认 本文综述了近年来非补偿硅和补偿硅 中BO。缺陷、FeB 为硼氧缺陷是导致光衰减的原因，它由一个替位硼