3陶瓷储能电容器的关键技术31对钛酸钡粉体掺杂改性.ppt

陶瓷储能电容器;Click to add title in here ;引言;下表是目前市场上电动汽车的技术指标[1]：;;1.陶瓷储能电容器的原理;2.陶瓷储能电容器极化机制; 实际上，晶界、相界、晶格缺陷等缺陷区都可以阻挡自由离子的运动。因此，自由离子再外加电场的作用下聚集在缺陷处，形成空间电荷（图2）。;; ;3.陶瓷储能电容器的关键技术;;;3.3提高陶瓷超级电容器的击穿电压强度 钛酸钡单晶的击穿电压强度可以达到3000KV/mm 以上。采用高纯度的钛酸钡粉体，将提高击穿电压强度。对半导体化的钛酸钡进行包裹，其目的就是提高击穿电压，从而达到提高电容器储能的目的。此外,在烧结过程中，包裹物往往是以液相的形式存在，这会降低烧结温度，提高陶瓷电容器的致密度，改善样品的微观结构。 有人认为，认为包裹氧化铝后形成大量氧空位，氧空位偏聚在钛酸钡和绝缘晶界附近，导致空间电荷???化加强，形成了晶界效应。晶界层起到阻挡载流子的运动，同时调整核壳比，控制晶界层厚度也能提高耐击穿强度，减小电容的非线性效应。是否有晶界层电容存在仍处在探索阶段。 ;;结论;参考文献;