Identity Card of the ECR-CVD - 国家奈米元件实验室.DOC

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Identity Card of the ECR-CVD - 国家奈米元件实验室

ANELVA SiGe UHVCME 機台身份證 全名: 超高真空化學系統 位置: Class 10 工程師: (O) ext.: 7638 代理人: (O) 7557 機台負責人: (O) ext.: 7638 作業區域化學品: 大宗氣體:N2CDA 特殊氣體:Si2H6、SiH4、Si3CH3、GeH4、0.1% 1% PH3/H21% B2H6/H2、PH2 瓶裝化學品: 有機化合物: 酸/鹼劑: 氧化物: 其他: 製程模式或反應腔: 熱化學氣相反應模式 冷壁式不銹鋼反應腔 反應腔真空度範圍: 製程狀態:10-4 torr (待機狀態:10-9 torr) 抽真空泵浦: Turbo and Rotary pumps 尾氣排放物種: Si2H6、SiH4、Si3CH3、GeH4、PH3、B2H6、H2 抽尾氣泵浦種類: Dry pump 尾氣排放有無獨立之Local Scrubber: 反應腔溫度範圍: 950°C (Max.) 冷卻系統種類: 廠務供應冷卻水 製造商或代理商: 代理商工程師: 更新日期: / 18 / 2013 實驗室機台設備安全宣告 操作期間無論發生有感地震、停電、毒氣或火災警報的狀況時,所有的人必須立即循逃生方向撤離實驗室。 遇有氣體外洩、火災燃燒或人員傷害等緊急狀況時,請通知緊急應變指揮中心協助處理(分機 7762)。 確認使用該機台可能需要防護具的使用方法及其所在位置,例如:緊急沖淋器、空氣呼吸器、滅火器、藥膏等。 此系統只允許核可使用者才能操作。 實驗條件之設定狀況不得超過原有之設定範圍(如氣體流量、製程溫度、時間等)。 請注意工程師公告機台設備相關之停用製程或服務功能。如有發現其他同學不按照規定使用機台設備(未登記使用紀錄、未依SOP操作,使用不被允許或其他可能造成機台損壞的物料),請儘速告知工程師(分機7)或工安人員(分機7737) 處理。 機台設備如果有不能正常工作的狀況時,請先查閱之前紀錄且將發生狀況說明於紀錄簿上,工程師會儘速診斷原因並予以回應。 在你離開前,請注意再確認所有機台狀況,例如晶片承接座、晶片升降台位置是否正確,加熱器電源、風扇是否關閉。並且,詳實填寫實驗紀錄簿。 目前機台預約採電話預約,請直接以電話和工程師進行預約。 請保持機台設備附近的環境清潔及秩序。這是大家共同的實驗室。 任何人若不遵守以上指示將會依國家奈米元件實驗室管理規則懲處。 UHVCME 標準操作程序 一、晶片置入 晶片在進入機台前,需經過標準的晶片清洗程序:STD或RCA清洗。 刷卡開機。 按下ESC,螢幕左上角會出現一指令視窗,選擇PUMP CONTROL後按下ENTER。 執行1-後,出現新的子指令視窗,選擇LOAD CH. VENT後按下ENTER。 待鈴聲響起,按下螢幕右邊的BUZZER RESET按鍵。 約1分鐘後,打開Load Chamber的門。 對準晶片平邊朝左,鏡面朝下,將晶片

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