硅纳米孔柱阵列的结构和光学特性研究! - 物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 # # %$$# # ， ， ， W7@ /# ,7 /# Q3K %$$# （ ） =$$$+J%’$Y%$$#Y# $# Y%J#%+$ .ZR. -N[)XZ. )X,XZ. %$$# ZU*8 / -UK6 / )7G / 硅纳米孔柱阵列的结构和光学特性研究! 许海军 富笑男 孙新瑞 李新建! （郑州大学物理系，材料物理教育部重点实验室，郑州 #$$#% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ %$ %$$ ’ %$ 采用水热腐蚀技术在单晶硅衬底上制备出一种新的硅微米 纳米结构复合体系———硅纳米孔柱阵列（ ）， ( )*+,-. 并对其表面形貌、结构及光学特性进行研究/ )*+,-. 的结构复合性体现为在微米和纳米两个尺度上形成了三个分 明的结构层次，即微米尺度的硅柱阵列结构、硅柱上的纳米多孔结构以及组成孔壁的硅纳米晶粒/ 积分光反射谱和 荧光光谱测试表明， 具有良好的光吸收和光致发光特性 依据 积分反射谱的实验数据，采用 )*+,-. / )* 0 ,-. 1234526+1278*9 变换关系计算得到了)*+,-. 的复折射率和复介电函数、吸收系数等光学常数，并由此讨论了)*+,-. 相对于单晶硅的光学特性发生显著变化的原因 最后，通过分析 的光吸收系数与入射光子能量之间的关系， / )*+,-. 揭示出)*+,-. 具有直接带隙半导体的电子结构特征，而且理论计算得到的)*+,-. 的带隙能与其光致发光谱的峰 位能很好符合/ 关键词：硅纳米孔柱阵列，光学特性，电子结构，水热腐蚀 ： ， ， !## :%$; %$ :=%# 变换关系计算了)*+,-. 的复折射率、复介电函数和 =H 引 言 吸收系数等光学常数，并据此计算分析了)*+,-. 的 电子结构特征/ 十年来，多孔硅（ ， ）因其在光电 I727E6 6*@*G78 -) 子技术领域潜在的应用前景引起了人们很大关注， % H 实验过程 其制备技术、形貌和结构特征、物理特性及相关应用 ［— ］ 都得到了较为深入的研究= / 但是，用电化学阳极 通过水热腐蚀（ ）取向的、电阻率为 )L 0 ,-. ===