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X射线测量InGaN多量子阱厚度组分及应变To Measure the Thickness Components and Contingency of InGaN Multiple Quantum Well by X-ray Zhang Kaiju （南京交通职业技术学院，南京 211188） （Nanjing Communications Institute of Technology，Nanjing 211188，China） 摘要：高分辨率X射线衍射具有不损伤样品，无污染、高精度等优点，能够得到有关晶体的完整信息，是研究薄膜性质的重要手段之一。本文采用高分辨X射线衍射得到InGaN/GaN样品的ω/2θ扫描图和倒易空间图，研究InGaN/GaN样品的应变和组分、InGaN/GaN多量子阱的平均组分级厚度周期。从倒易空间图像得出的晶格常数与由002面和105面摇摆曲线所计算出的晶格常数相比较，垂直晶格常数符合得很好，而水平方向的晶格常数则有较大的差别，可以认为从倒易空间图像中得出的晶格常数更为准确 Abstract: High-resolution X-ray diffraction has many advantages, such as, no damage to the sample, non-polluting, high-precision, etc., and it can get complete information about the crystal and is an important means to study the nature of film. This paper uses high-resolution X-ray diffraction to get the ω/2θ scan and reciprocal space maps of InGaN / GaN samples of InGaN / GaN sample and study the components and contingency of InGaN / GaN sample and the average group grading thickness period of InGaN / GaN multi-quantum well. Compared to the crystallographic lattice constant got from the reciprocal space images and 002 and 105 rocking curves, it is well agree with the vertical crystallographic lattice constant, but the horizontal crystallographic lattice constant has greater the difference, so we can consider that the crystallographic lattice constant from the reciprocal space image is more accurate. 关键词：X射线衍射 InGaN 量子阱 倒易空间图 Key words: X-ray diffraction；InGaN；quantum well；reciprocal space map 中图分类号：TP31 文献标识码：A文章编号：1006-4311（2011）32-0155-03 0引言 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料主要有AlN、GaN、InN及其三元、四元合金，通过调整合金的组分，可以获得InN的0.7eV到GaN的3.4eV到AlN的6.2eV的连续可调能隙，对应的波长覆盖了整个可见光范围。此外，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物还具有高热导率、高电子饱和速度、强击穿电场以及物理化学性质稳定等优良性质。GaN材料的优异特性使其在光电器件、大功率、高温、高频电子器件等领域都有着广泛的应用前景[1-6]。2002年，InN单晶薄膜的带隙宽度被发现为0.7eV[7]，而非此前认为的1.9eV，由于InGaN合金可以覆盖整个可见光波段，在探测以及高转换率太阳能电池器件上有着巨大的应用前景。GaN和InGaN两种材料间的晶格失配以及不同的热膨胀系数会引起异质结中的应变，影响器件的性质，在InGaN生长过程中In的饱和蒸汽分压较大，导致In组分的实际值与设计值之间有较大差别，因此，对InGaN/GaN材料应变的研究以及In组分及应变的测量十分必要 1高分辨率X射线衍射原理