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脉冲激光加工时间对硅量子点及其发光影响中图分类号：TN249 文献标识码:A 文章编号：1007-0745（2011）11-0046-02 摘要：用YAG 激光束照射硅样品表面形成小孔，在孔内的侧壁上出现较规则的网孔状结构；用拉曼荧光光谱仪检测该结构有很强的光致荧光，其强度比样品的瑞利散射强，加工时间不同其强度有明显的差异，当激光辐照时间为9ｓ时，孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定，且有较强的光致荧光，本文解释了PL峰较强的形成机理，认为氧化程度（主要是Si=O双键的数目）在其中起重要作用。在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光，这证实了氧确实在光致荧光增强上起着重要作用。用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理，并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应 关键词：激光辐照 纳米结构 局域态 氧化 1 引言 单晶硅是现代半导体器件和大规模集成电路的支柱。然而，硅的禁带宽度(约为1.12eV)窄小，又是间接带隙，这就限制了硅基材料在光电子器件中的应用。自从1990年Canham 发现多孔硅室温下强光致发光现象以来，许多专家学者用不同的方法形成硅基上的低维结构来模仿多孔硅的发光，并成功获得多孔硅稳定、肉眼可见的蓝光发射[2]，这一发现为多孔硅的全硅光电子集成带来了希望。在应用方面，人们已初步研制出多孔硅发光二极管、多孔硅光电探测器等。但对纳米硅基材料发光机理却众说纷纭，出现了各种各样的物理模型，各有优缺点。总体上看，目前主要存在以下五种发光机理解释模型：(1)量子限制发光模型；(2)界面层中的激子效应发光模型；(3)与氧有关的缺陷发光模型；(4)量子限制效应―发光中心发光模型；(5)直接跃迁发光模型 目前,迫切需要解决的问题是在硅样品上生成稳定的低维结构并有较强且稳定的PL 发光。 最近的研究表明:无论是纳米硅晶发光还是多孔硅发光，其发光机理都与氧化硅层相关, 即所谓的纳米硅晶的光泵作用与氧化硅层发光中心的亚稳态激射。传统的生成纳米硅晶和氧化硅层二体系统结构的方法有:经高温退火在富硅氧化层中形成硅原子团簇，或用溅射法将硅离子注入氧化层， 但其加工质量和稳定性都不理想。我们认为：用激光辐照手段生成纳米硅晶和氧化硅层二体结构应该是最有希望的方法, 包括:在氧化层中用激光诱导硅离子游离与凝聚、用激光辐照生成低维结构并使其表面氧化等 本文选择用激光辐照的方法在单晶硅样品上加工出具有较强的、稳定的PL 发光特性的氧化低维结构, 采取对样品加工不同的时间来控制氧化程度和在不同的环境中来加工样品, 并从物理层面上研究氧化低维结构的行成机理, 分析激光与硅材料的相互作用过程，建立激光诱导的冷等离子体波作用模型，从而指导激光加工的优化过程。参照QCLC 模型[3],建立量子受限-晶体与氧化物界面态综合模型来解释PL 发光的增强效应，并设法从低维纳米晶体量子受限态与氧化硅界面态的相对位置来构造PL 发光增强效应的阈值分布结构 2 实验 样品采用(100)取向的10 - 20Ωcm 的P型硅晶片。先对样品作预处理：用酒精清洗其表面，用氢氟酸溶液（NH4F（质量分数49%）与HF 以10:1的体积比混合）清除样品表面在大气中生成的天然氧化物，再用去离子水浸泡30ｓ。吹干后，用YAG脉冲激光(波长: 1064nm；脉冲宽度约8ns，束斑直径0.045mm)照射样品。激光束强度大约5 x 108 W cm-2 ,照射斑点直径大约30μm。将单晶硅样品直接放在空气中进行不同时间的激光辐照加工：加工时间分别为1s、5s、8s、9s、10s；将单晶硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中进行激光辐照加工。这样，将激光与硅样品的作用过程和检测过程均隔离于无氧化的环境中。先在514nm的激发光作用下,分析样品的PL光谱；用电子扫描探针（EPMA―1600型，日本岛津公司制造）的二次电子和背散射电子成像技术观察与分析样品的表面形貌结构 3 分析与讨论 当脉冲激光照射在硅样品上，形成一种网孔结构，如图1 ( a)所示。该结构来自激光与半导体样品相互作用产生等离子体波[4]，在孔洞中形成谐频驻波，我们用该模型来解释洞壁上的网状低维结构的形成机理。其形成机理为：高强度的连续激光照射在硅材料上，激发出的电子-空穴对构成等离子体系统，其局部的迁移形成内部的电场和磁场。在内部的电磁场作用下，电子-空穴对等离子体产生振荡形成等离子体波，其频率为[5]：ω = e ( n /mε) 该等离子体振荡频率正比于载荷子密度n 的平方根，而载荷子密度n 又正比于激光脉冲的辐照能量。控制激光加工的功率和时间等参量，使等离子体波的波长对于孔洞线径尺寸满足谐振条件，在孔洞中便有等离子体波的谐频驻波产生，该驻波在孔洞侧面上形成的驻