半导体制造工艺_02硅的实验室处理工艺.ppt

半导体制造工艺原理 第二章 实验室净化及硅片清洗 三道防线: 环境净化（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 1、空气净化 From Intel Museum 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 0.5um 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒 泵循环系统 20～22?C 40～46％RH 由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。 例1. 一集成电路厂 产量＝1000片/周×100芯片/片，芯片价格为$50/芯片，如果产率为50％，则正好保本。若要年赢利$10,000,000，产率增加需要为 产率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！ 年开支=年产能 为1亿3千万 1000×100×52×$50×50% =$130,000,000 Contaminants may consist of particles, organic films (photoresist), heavy metals or alkali ions. 外来杂质的危害性 例2. MOS阈值电压受碱金属离子的