半导体物理-光电器件.ppt

最重要的三种Ⅲ-V族化合物合金系统是GaxIn1-xAsyP1-y、 GaxIn1-xAsySb1-y和AlxGa1-xAsySb1-y。下图所示为Ⅲ-V族二元，三元及四元化合物的禁带宽度与晶格常数的关系。 若要做出可忽略界面陷阱的异质结构，则必须使两种半导体材料的晶格能紧密地匹配在一起。如果使用GaAs(a=0.56533nm)作为衬底，则三元化合物AlxGa1-xAs的晶格不匹配会小于0.1％．同样的，若使用InP (a=0.58687nm)作为衬底，则四元化合物GaxIn1-xAsyP1-y也可以达到很完美的晶格匹配。 半导体激光 图(a)表示三元化合物AlxGa1-xAs的禁带宽度是铝成分的函数。在x＜0.45时，此合金为直接禁带半导体，超过此值后则变成间接禁带半导体。 图(b)显示折射率与铝成分的关系。当x=0.3时， AlxGa1-xAs的禁带宽度为1.789eV，它比GaAs大了0.365eV，而其折射率为3.385，比GaAs小了6％。这些都是在室温或高于室温的环境下，半导体激光作连续工作时的重要特性。 半导体激光 分布反转:为了增强激光工作所需的受激辐射，需要分布反转。 考虑简并型半导体间形成的p-n结或异质结。这表示在结两端的掺杂能级甚高，以致于在p型区的费米能级EFV比价带