使用二维光学检测技术对氮化镓发光二极体的脆弱结构及稳定性的分析.PDF

使用二維光學檢測技術對氮化鎵發光二極體的脆弱結構及穩定性的分析 陳 祥 高泉豪 羅泓凱 暨南大學應光系助理教授 長庚大學電子系副教授 暨南大學應光系大學生 hchen@.tw chkao@.tw .tw 林朕德 盧廷昌 許世昌 暨南大學電機系大學生 交通大學光電系副教授 台南大學電機系助理教授 .tw timtclu@.tw scshei@.tw 朱中良 游宗新 暨南大學應光系大學生 暨南大學應光系大學生 gn67504@.tw .tw 摘要 本研究是藉著非侵略性的光學偵測技術如表面溫度量測 、二維 X 光 (XRF)元素分析、正偏和逆 偏電致發光觀測和電性分析。經由比較分析結果發現氮化銦鎵發光二極體的逆偏發光造成穩定性 的影響是由熱電子效應所產生，而熱電子效應是在高電場區域的漏電流所產生。此穩定性的分 析是利用影像工具處理在逆偏操作下的高電場區域以及金屬接觸面異常時漏電流所產生的電致發光 影像 ，經由邊界擴大的定量分析、熱電子發光公式的帶入以及加上光學濾鏡前後影像的比較 ，就能解 釋發光二極體逆偏電致發光機制是由熱電子發光效應所產生。藉著證明二極體的逆偏電致發光是由熱 電子效應所產生 ，再利用影像處理技術 ，而建立逆偏發光對 元件的載子發光效率衰退以及對電 性穩定性影響上的關聯性。藉著影像處理工具的協助，非侵略性光學偵測技術就能處理發光二極體 逆偏發光影像 ，能建立起未來工業上非侵略性篩檢品質技術 ，並對氮化銦鎵發光二極體的缺陷及脆弱 結構作非破壞性的分析 ，而能在檢測和監控氮化銦鎵產品製造流程中 ，達到不耗損元件且完善地檢測 品質 ，以減少製程中品管的成本並提升檢測的效率 。 關鍵字 ：氮化銦鎵發光二極體、影像分析 、逆偏電致發光 、漏電流 壹 、 前言 半導體科技業隨著元件尺寸縮小 、功率加大及成本降低而日益進步的同時 ，半導體電 子元件 及光電元件的缺陷研究及穩定性改良也是在半導體技術發展的一個重要環節。相較 於一般以穿透 式顯微鏡(TEM) 或聚焦離子束與電子束顯微系統(FIB)[1] 藉著切割對元 件作破壞性的研究及篩檢技術，利用光學影像觀測配合光學影像處理以及對影像作數值運 算的光學偵測技術 [2] [3] [4]等非侵略性的方式 ，為研究半導體元件穩定性及缺陷結構 的利器 。其中關於氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT) 中黃光缺陷 [5] (Yellow Luminescence Defect) 光學影像偵測技術 ，在 2008 年已由陳祥等人建立 ，其研究成果已 由德國穆勒博士出版公司於 2009 年出版專書 ，並由全球英文最大售書網站亞馬遜書店 (/) 販售該書 [6]。在以光學偵測技術分析電子元件的缺陷發展成 熟後 [7]，盼望此技術能擴展到半導體光電元件 (例如: 發光二極體及半導體雷射) 脆弱 結構及非侵略性篩檢的研究 。在過去十年間 ，氮化銦鎵發光二極體 ( InGaN LED) 技術應 用在全彩的顯示器上 ，使得顯示器的發展有很大的進步。然而 ，脆弱結構中漏電流所帶給 氮化銦鎵發光二極體的問題，卻也實際地影響到氮化銦鎵發光二極體在工業上的應用[8]。 本研究利用非破壞性的光學觀測以及使用Matlab的影像處理及影像中數值分析作為橋梁 ， 來說明發光二極體逆偏發光的發光機制 ，並進一步解釋二極體逆偏發光的強弱及區域大小 對發光二極體發光效率及漏電流之影響 。此外 ，藉著了解逆偏發光在高電場的區域和金屬 接觸面的異常與漏電流的關係 [9]，也建立起非侵略性篩檢氮化銦鎵發光二極體品質的技 術，突破一般具破壞性的篩檢不完美發光二極體元件結構的技術 。在工業的應用上 ，元件 不能一個接一個的被