罐鼢-自然科学版-青岛大学.PDF

维普资讯 第 7畚第 3搠 青岛大学学报 VOL．7Nq 3 l994年 9月 JOURNALOFQINGDAOUNIVERSITY se ．1994 稀土 Yb+注入硅单晶所产生非晶 层的快速热退火固相外延结晶研究’ 蜉 ，li彳 粕 李岱青 任廷琦 万亚 ●、- _ _ _ ·● 。 ～ (姻台师院物理系，烟台 264025) 熏 釜 (烟台大学应用化学系．烟台 264005) 06，f． 徐天冰 (中国科学院物理所，北京 100080) ～鼢 摘要 用卢瑟福背散射 ／沟道技术研宄 1350kevYh 注入Si(1O0)所产生的表面非晶层在 不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表 明，在 800C—IO00C的快速热 退火温度下，在Yb 射程范围以外 的非晶层很客易固相外延结晶}但在 同样退火温度下， 在Yb射程分布范围内非晶层的固相外延结晶则非常缓慢，只有在退火温度高于 12OOC 时，整个表面非晶层才完奎消失．射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质直合体是导致这两 店，蹈，始李 ● 离子注入做为一种有效的掺杂方法具有掺杂浓度高．掺杂分布容易控制．可重复性好 以及工艺简单等优点．利用这一技术一方面可以研究与注入过程相关的一些物理现象，如 溅射 ，晶格损伤积累 和注入杂质的射程分布r荨[I另一方面也可以运甩这一技术制成 ． 鉴票暑餐妥智 中关村地区联合分折试基垒资助珥日 维普资讯 72 青岛大学学报 第 7卷 新的半导体光 电材料 ，如稀土掺杂的半导体发光材料 “]．作为过渡金属的稀土元素，它具 有独特的电子结构．其不完全充满的 4f电子壳层受到外部满壳层 5p和 6s电子的有效屏 ． 蔽，从而导致稀土元素与晶格之间较弱的电子——声子耦合．因此这种发光材料具有单色 性好 ，温度效应小，热稳定以及抗辐照等一系列优点 “]．离子注入技术亦有其不利的一面- 注入过程不可避免要在晶格内造成损伤．从而影响发光效率．但热退火技术却能基本上将 ’ 晶格内的辐照损伤消除，并使部分稀土杂质获得光激活．为了理解晶格中缺陷的产生和消 除规律 ，我们用卢瑟福背散射 ／沟道测量技术研究了350keyYb注入硅单晶所产生的表 面非晶层在快速热退火条件下 ，固相外延结晶速率随暹火温度的关系．并用级联碰撞理论 对固相外延结晶过程的机理进行了分析． 1 实验方法 350keyYb’在室温下以 1×10离子 ／cm 的注入剂量注入单品硅．单晶硅的注入表 面为 (100)面．为了避免离子注入过程 中晶轴方 向原子所构成的对称沟道对注入离子的导 向作用，离子