偏压值对纳米刻蚀影响的研究.pdfVIP

第2O卷第4期 纺 织 高 校 基 础 科 学 学 报 V01．2O，NO．4 2007年12月 BASIC SCIENCES JOURNAL OF TEXTILE UNIVERSITIES Dec．，2007 文章编号：1006—8341(2007)04—0408—04 偏压值对纳米刻蚀影响的研究 周光茜，张英堂，任永强 (西安r程大学 理学院，陕西 西安710048) 摘要：STM的刻蚀机理是通过隧道电流引发局域化学反应，以达到刻蚀的目的．在刻蚀过程中， 偏压值对针尖状态的影响相当大．本文以STM为手段，研究偏压值对高序石墨表面纳米刻蚀及 针尖状态的影响．通过一系列改变偏压值的纳米刻蚀试验，结果表明，在偏压值为4 000mV不但 刻蚀图像明显，而且对针尖状态的影响较少． 关键词：STM；纳米刻蚀；偏压值；高序石墨 中图分类号：0 57 文献标识码：A 随着信息技术的发展，信息存储的方式和装置也在不断变化．最常见的信息存储装置有：磁盘、优盘和 光盘等．其中，光盘作为一种大存储容量的装置，被广泛应用．其信息存储容量的大小主要取决于光刻技术 的优劣，即取决于光刻点的大小、深浅等因素．目前，光刻技术所能达到的刻点大小在微米级．若能采用纳 米刻蚀技术，将刻点尺度缩小到纳米级，则信息储量就能提升1O。倍．1981年Gerd Binnig等人发明的新 型表面测试分析仪——扫描隧道显微镜(STM)不仅可以观察样品表面的精细结构，也可以作为加工手 段，进行纳米操作的研究【1也]．并已成功地刻蚀出200nm×200nm的“中国”二字L3]．然而利用STM进行刻 蚀的最大缺点是：容易损伤探针的针尖的状态．如何在既保持刻蚀点有一定的大小和深度，又不过渡损伤 针尖状态，是一个有意义的研究课题．由于STM的偏压值对刻蚀深度和针尖状态的影响都很大n“]，因此 选择恰当的偏压值，就成为此项研究的关键所在． 本文基于STM的纳米刻蚀试验，在分析了一系列改变偏压值的试验结果后，确定出对针尖影响较 少，刻蚀图像明显的偏压值为4 000mV． 1 影响纳米刻蚀的因素 STM针尖是典型的原子尖，在样品和针尖间加一定电压，当针尖一表面的距离小于一定值时，由于量 子隧道效应，样品与针尖产生隧道电流．隧道电流与偏压间存在J oc V exp(--A9“ )L1]关系．式中J为隧 道电流； 为针尖与样品间所加的偏压；A为常数，在真空条件下，近似为1； 为针尖与样品的平均功函 数；d为针尖与样品间的距离． 隧道电流依赖于分子间距，并遵循负指数关系．利用隧道电流可以制作多种纳米图案，其过程包括化 学键的断裂与重构，并且被高度局域化(例如，lnm或更小)．也就是说，隧道电流可以用来引发局域化学 反应，即键的断裂和形成．由隧道爆发流与偏压的关系可知，针尖与样品问所加的偏压 和针尖与样品 问的距离d的变化都会改变隧道电流J的大小，进而改变引发化学键断裂与重构的几率，因此 和d的 改变都可影响刻蚀点的大小．此外，样品与针尖周边环境中若存在静电的积累，也可能引发局部化学键断 裂与重构，从而影响刻蚀效果，然而这种因素很难控制，因此在实际操作过程中往往采用消除环境静电的 方法．而 与J成正比；d与J的关系比较复杂，呈指数关系．所以，在所有影响因素中偏压值V 对刻蚀 收稿日期：2007—03—28 通讯作者：周光茜(I970一)，女，上海市人，西安工程大学副教授．E—mail：zhougx1220@sina．corn 第4期 偏压值对纳米刻蚀影响的研究 409 点大小的影响最具有可操控性．以下实验就是基于此观点设计的． 2 纳米刻蚀实验 实验是在AJ—la型STM系统上完成的，采用的探针为Pt—Ir合金丝，刻蚀样品为HOPG(高序石墨)， 扫描管为1．5／Lm扫描范围的小扫描管．并将扫描范围设为1 280nm以提高扫描精度．“纳米刻蚀一测试 板”最初的参数设置，见表 1．由于形状参数的选择中没有“点”形，因此可采用“一”字形，只要点距大于长 度，则刻蚀结果即为“点”．在其他参数不变的情况下，只改变偏压大小，由2 999．92mY变化至 5 00