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可三维堆叠鳍式及超薄通道电晶体 - 国家奈米元件实验室
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08
3D Stackable FinFETs and UTB Transistors
(Pulse Laser Crystallization)
(Epi-like Si)
(Fin Field-effect Transistor, FINFETs)
(Ultra Thin Body, UTB) (Bulk Si Wafer)
SOI(Silicone-on-insulator)
/ 50 /50
(Channel) 30
800 oC
450oC
Abstract
Recently, we utilized pulse laser crystallization technology to fabricate high quality poly-
Si material, so call epi-like Si. With this epi-like Si, we have fabricated high performance
FINFETs (Fin Field-Effect Transistor) and UTB (Ultra-Thin Body) transistors on SiO2/
Si wafer. Devices with lower leakage current, lower energy consumption and higher
operating speed can be performed with this silicone-on-insulator (SOI) structure. FINFETs
with 50nm/50nm (width/length) gate and UTB with ultra thin Si channel (20 nm) have
been demonstrated. The electrical properties of these devices perform quit well. As
compare to high temperature process used in conventional semiconductor industry, our
o
process temperature is lower than 450 C. This low thermal budget technology benets
fo r re a l i z i n g v a r i o u s m o n o l i t h i c 3 D d e v i c e s a n d c i r c u i t s i n t h e f u t u re.
Keywords (Monolithic 3D Device) (Low
The
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